常见材料禁带值汇编.doc

SSi6团簇存在三个可能的基态结构，从能量的角度考虑，面带帽三角双锥和扭曲五棱锥分别是第二和第三近基态低能同分异构体，都具有C1对称性，其结合能比基态结构分别高0.635和1.519eV. 闪锌矿结构 AlSb 是一种性能优良的直接带隙半导体材料［ 1］ ，禁带宽度为 1． 6 eV27%［ 2］ 。Al 和 Sb 在地球上储量非常丰富， 在生产和使用过程中无毒， 并有很好的环境相容性。AlSb 是一种具有潜在应用前景的无毒、 AlSb 属于 F43m 空间群。0． 6136 nm13］ ， 原子坐标是 Al( 0，0，0) 和 Sb( 0． 250．250． 25。AlSb 单晶胞的基础上构造 2 × 2 × 1 的超晶胞如图 1( a) 所示， 从图中可看出，AlSb 中 Al-Sb 键长都为 0． 2631 nmCd-S 键之间的键角为 109°47。Cu、 Zn Al原子后的超晶胞结构模型如图 1( b) 所示 利用AlSb的1.6eV能隙宽度,可以充分的将太阳光能转换成电能。但AlSb 的电子亲合势为3.6eV,难以找到合适的金属背电极来与之形成欧姆 接触。本发明提出一种新的AlSb电池结构。在透明导电玻璃面上, 沉积一层ZnS作为电池的窗口层,用p-AlSb作为入射光的吸收层, 选用GaSb作为AlSb与背金属电极之间的过渡层,选用Al作为背金 属电极。本发明提出的AlSb太阳电池结构,可以充分利用太阳光的 335-767nm波段,有效解决AlSb与金属背电极的欧姆接触特性,从 而获得高的填充因子和光电转换效率。 InP 和 InAs 作为两种重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体， 它们的合金 InAsxP1-x he short wavelength HgCdTe infrared detector arrays produced HgTe is a zero gap semiconductor when it is sandwiched between CdTe layers to yield to a small gap HgTe/CdTe superlattice which is the key of an infrared detector __________________________70550C CuWO4的直接帯隙和间接帯隙分别为和。直接 帯隙对应于说明了可在可见光范围内响应。 -------------------------------------------------am5036626