特性(n-通道增强型MOSFET).pptVIP

* 基本結構 (n-通道 增強型 MOSFET)： ?空乏型與增強型MOSFETs 結構之 主要差異 － 汲極與源極端子間(n- 型摻雜區域間) 缺乏通道。 ?SiO2層 將閘極金屬層 與 汲極至源 極間的區域 隔開，且現在 僅與一 段p-型材料 隔開。 § 6-8 增強型 MOSFET * ? 轉移曲線 並不由 蕭克萊方程式 所定義。 ? ID 保持截止 而直到 VGS 達到某特性值 才導通。(n-通道裝置→VGS 0) 金屬 接點 無通道 n-型摻雜區域 (Sub Strate) 基體 p-型基體 有時內↓ s 矽基板 SS n-型摻雜區域 * 基本操作： (n-通道 增強型 MOSFET) (1)VGS = 0，VDS 0，且SS端接S端 ＝?n-型區域與p-型基體間形成兩個 逆向偏壓之p-n接面? ＝?阻止汲極與源極間電流流通 ＝? I