加工工艺3.ppt

概述 半导体衬底 热氧化 扩散 离子注入 光刻 刻蚀 化学气相淀积 物理淀积 外延 工艺集成 CMOS 光刻 将掩模版上的图形转移到硅片上 Lithographc System 光刻系统的设备需要 甩胶机 烘箱或热板 对准与暴光机 对准机Aligner-3个性能标准 分辨率: 3σ10%线宽 对准: 产量 光刻分辨率 对准机和光刻胶的分辨率是爆光波长的函数 波长越短, 分辨率越高 短波长能量高，爆光时间可以更短、散射更小 光源系统 光源 Hg Arc lamps 436(G-line), 405(H-line), 365(I-line) nm Excimer lasers: KrF (248nm) and ArF (193nm) 接触式光刻 Resolution R 0.5μm 掩膜板容易损坏或沾污 接近式光刻 最小特征尺寸： K~1, ?~波长，g~间距 最小特征尺寸~3um 投影式光刻 增加数值孔径NA，最小特征尺寸减小，但聚焦深度也减小，必须折中考虑。 光刻胶 负胶Negative Resist---爆光区域保留 正胶Positive Resist---爆光区域去除 光刻胶的成份 Resin 或 base materials Photoactive compound (PAC) Solvent 灵敏度---发生化学变化所需的光能量 分辨率---在光刻胶上再现的最小尺寸 聚合物 聚合物是由许多小的重复单元连接而成的。 结构： 串联、分支、交联 光刻胶 爆光产生断链?正胶 爆光产生交联?负胶 DQN正胶 感光化合物DQ 基体材料N DQN正胶的典型反应 PAC的氮分子键很弱，光照会使其脱离 Wolff重组，形成乙烯酮 初始材料不溶于基本溶液 PAC为抑制剂。 DQN正胶感光机理 邻叠氮萘醌类化合物经紫外光照射后，分解释放出氮气，同时分子结构进行重排，产生环的收缩作用，再经水解生成茚羧酸衍生物，成为能溶于碱性溶液的物质，从而显示图形 光刻胶的对比度 光刻胶的对比度 对比度： 光刻胶的涂敷与显影 显影中的三个主要问题 甩胶 先进光刻技术 浸入光刻 Immersion Lithography 电子束光刻 Electron beam Lithography X-Ray Lithography 离子束光刻 Ion Beam Lithography 纳米压印光刻Nanoimprint Lithography 浸入光刻 A liquid with index of refraction n1 is introduced between the imaging optics and the wafer. 优点: 分辨率与n成正比; 聚焦深度增加 电子束光刻 波长 例: 30keV, ?=0.07A 缺点: 束流大, 10’s mA 产量低, 10wafers/hr. X-Ray Lithography Synchrotron Radiation 投影式X射线光刻 离子束光刻 Pt 淀积 FEA 制造 纳米压印光刻 纳米压印光刻 极高分辨率: 可以形成10nm的结构 概述 半导体衬底 热氧化 扩散 离子注入 光刻 刻蚀 化学气相淀积 物理淀积 外延 工艺集成 CMOS 双极工艺 BiCMOS 刻蚀 硅片表面形成光刻胶图形后，通过刻蚀将图形转移到wafer上 干法、湿法等 Figure of Merit: 刻蚀速率 均匀性 选择比 例： 20 : 1 = polysilicon : silicon oxide 刻蚀 钻刻 Etch rate anisotropy RL : lateral etch rate RV: vertical etch rate A=0, isotropic etching A=1, anisotropic etching 腐蚀选择性 S的定义 Wet Etching S 受化学溶液, 浓度和温度控制 RIE S受等离子参数、气氛、气压、流量和温度影响 刻蚀 Physical etching Chemical etching 湿法腐蚀 Anisotropy 工艺简单 高选择比 无衬底损伤 非各向异性 工艺控制差 沾污 腐蚀过程 1 反应剂传输到表面 2 化学反应 3 生成物离开表面 常见材料的腐蚀 SiO2 的腐蚀 6:1 = HF Thermal silicon dioxide , 1200 ?/min SiO2 + 6HF H2+ SiF6 + 2H2O NH4F? NH3 + HF Si3N4的腐蚀 20 : 1 BHF at RT 10 ?/min H3PO4 , 140~200