高频电路(本科)第2节.pdf

第2章高频小信号放大电路 ２. １概述 ２. ２晶体管高频等效电路 ２. ３谐振放大器 ２. ４宽频带放大器 ２. ５集中选频放大器 ２. ６电噪声 ２. ７集成高频放大电路的选用与实例介绍 ２. ８章末小结 返回主目录 第2章高频小信号放大电路 2.1概述　 高频小信号放大电路分为窄频带放大电路和宽频带放大 电路两大类。前者对中心频率在几百千赫到几百兆赫, 频谱宽 度在几千赫到几十兆赫内的微弱信号进行不失真的放大, 故不 但需要有一定的电压增益, 而且需要有选频能力。后者对几兆 赫至几百兆赫较宽频带内的微弱信号进行不失真的放大, 故要 求放大电路的下限截止频率很低(有些要求到零频即直流), 上 限截止频率很高。　 窄频带放大电路由双极型晶体管( 以下简称晶体管) 、场效 应管或集成电路等有源器件提供电压增益, LC谐振回路、陶瓷 滤波器、石英晶体滤波器或声表面波滤波器等器件实现选频功 能。它有两种主要类型：以分立元件为主的谐振放大器和以集 成电路为主的集中选频放大器。　 宽频带放大电路也是由晶体管、场效应管或集成电路提供 电压增益。为了展宽工作频带,不但要求有源器件的高频性能 好, 而且在电路结构上采取了一些改进措施。　 高频小信号放大电路是线性放大电路。Y参数等效电路和 混合π型等效电路是分析高频晶体管电路线性工作的重要工具, 晶体管、场效应管和电阻引起的电噪声将直接影响放大器和整 个电子系统的性能。本书将这两部分内容作为高频电路的基础 也在这一章里讨论。　　 2.2 晶体管高频等效电路　 晶体管在高频线性运用时常采用两种等效电路进行分析, 一是混合π型等效电路, 一是Ｙ参数等效电路。　 前者是从模拟晶体管的物理机构出发, 用集中参数元件Ｒ、 Ｃ和受控源来表示管内的复杂关系。优点是各元件参数物理意 义明确, 在较宽的频带内元件值基本上与频率无关。缺点是随 器件不同而有不少差别, 分析和测量不方便。因而混合π型等 效电路法较适合于分析宽频带小信号放大器。　 Ｙ参数法则是从测量和使用的角度出发, 把晶体管作为一 个有源线性双口网络, 用一组网络参数构成其等效电路。优点 是导出的表达式具有普遍意义, 分析和测量方便。缺点是网络 参数与频率有关。由于高频小信号谐振放大器相对频带较窄, 一般仅需考虑谐振频率附近的特性, 因而采用这种分析方法较 合适。 2.2.1 混合π型等效电路　 图2 ．2 ．1是晶体管高频共发射极混合π型等效电路。 图中各元件名称及典型值范围如下：　 ｒ ：基区体电阻, 约１５Ω～５０Ω　。　 bb ′ ｒ ： 发射结电阻re折合到基极回路的等效电阻, 约几十 b ′e 欧到几千欧。　 ｒ ：集电结电阻, 约１０k Ω～１０M Ω。　 b ′c ｒ ：集电极—发射极电阻, 几十千欧以上。 ce ｃb ′e ：发射结电容, 约１０皮法到几百皮法。　 ｃb ′c ：集电结电容, 约几个皮法。　 ｇm ：晶体管跨导, 几十毫西门子以下。　 由于集电结电容C b ′c跨接在输入输出端之间, 是双向传输 元件, 使电路的分析复杂化。为了简化电路, 可以把C b ′c　折合 到输入端b ′、e之间, 与电容C b ′e并联, 其等效电容为： 　　 CM　=(1+gmR ′L)Cb ′c　 (2.2.1) 　 即把Cb ′c 的作用等效到输入端, 这就是密勒效应。其中gm是 晶体管跨导, R ′是考虑负载后的输出端总电阻,