单晶硅棒、单晶硅片加工工艺要领.docx

单晶硅棒、单晶硅片加工工艺 ???? 单质硅有无定形及晶体两种。无定形硅为灰黑色或栗色粉末，更常见的是无定形块状，它们是热和电的不良导体、质硬，主要用于冶金工业（例如铁合金及铝合金的生产）及制造硅化物。晶体硅是银灰色，有金属光泽的晶体，能导电（但导电率不及金属）故又称为金属硅。高纯度的金属硅（≥99．99％）是生产半导体的材料，也是电子工业的基础材料。掺杂有微量硼、磷等元素的单晶硅可用于制造二极管、晶体管及[url=javascript:;]其他[/url]半导体器件。 　　由于半导体技术不断向高集成度，高性能，低成本和系统化方向发展，半导体在国民经济各领域中的应用更加广泛。单晶硅片按使用性质可分为两大类：生产用硅片；测试用硅片。 　　半导体元件所使用的单晶硅片系采用多晶硅原料再经由单晶生长技术所生产出来的。多晶硅所使用的原材料来自硅砂（二氧化硅）。目前商业化的多晶硅依外观可分为块状多晶与粒状多晶。 　　多晶硅的品质规格： 　　多晶硅按外形可分为块状多晶硅和棒状多晶硅；等级分为一、二、三级免洗料。 　　多晶硅的检测： 　　主要检测参数为电阻率、碳浓度、N型少数载流子寿命；外形主要是块状的大小程度；结构方面要求无氧化夹层；表面需要经过酸腐蚀，结构需致密、平整，多晶硅的外观应无色斑、变色，无可见的污染物。对于特殊要求的，还需要进行体内金属杂质含量的检测。　 　　单晶硅棒品质规格： 单晶硅棒的主要技术参数 型号 P型或A型 晶向 111100 电阻率 0.0001ohm.cm-100ohm.cm 电阻率均匀性 25% 位错密度 无位错 OISF密度 500cm２ 氧含量 根据客户要求 碳含量 1ppma 主要考面取向密度 根据客户要求 　　其中电阻率、OISF密度、以及碳含量是衡量单晶硅棒等级的关键参数。这些参数在单晶成型后即定型，无法在此后的加工中进行改变。 　　测试方法： 　　电阻率：用四探针法。 　　OISF密度：利用氧化诱生法在高温、高洁净的炉管中氧化，再经过腐蚀后观察其密度进行报数。 　　碳含量：利用红外分光光度计进行检测。 　　单晶硅抛光片品质规格： 单晶硅抛光片的物理性能参数同硅单晶技术参数 厚度（T） 200-1200um 总厚度变化（TTV） ＜10um 弯曲度（BOW） ＜35um 翘曲度（WARP） ＜35um 单晶硅抛光片的表面质量：正面要求无划道、无蚀坑、无雾、无区域沾污、无崩边、无裂缝、无凹坑、无沟、无小丘、无刀痕等。背面要求无区域沾污、无崩边、无裂缝、无刀痕。 　　（2）加工工艺知识 　　多晶硅加工成单晶硅棒： 　　多晶硅长晶法即长成单晶硅棒法有二种： 　　CZ（Czochralski）法 　　FZ（Float-Zone Technique）法 　　目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。 　　目前国内主要采用CZ法 　　CZ法主要设备：CZ生长炉 　　CZ法生长炉的组成元件可分成四部分 　　（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁 　　（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件 　　（3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀 　　（4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统 　　加工工艺： 　　加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长 　　（1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。 　　（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。 　　（3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4-6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。 　　（4）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。 　　（5）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负2mm之间