第三章 电池工艺简介.pdfVIP

硅太阳能电池工艺简介硅太阳能电池工艺简介 硅太阳能电池工艺简介硅太阳能电池工艺简介 硅太阳能电池结构原理 PN结的形成 • 在N型和P型半导体的交界面处存在有电子和空穴浓度 梯度，N区中的电子就向P区渗透扩散，扩散的结果是 N型区域中邻近P型区域一边的薄层内有一部分电子扩 散到P型中去了。由于这个薄层失去了一些电子，在N 区就形成带正电荷的区域。同样，P型区域中邻近N型 区域一边的薄层内有一部分空穴扩散到N型区域一边 去了。由于这个薄层失去了一些空穴，在P区就形成 了带负电荷的区域。这样在N型区和P型区交界面的两 侧形成了带正，负电荷的区域，叫做空间电荷区。 PN结的形成 E 自建电场自建电场 自建电场自建电场 N P 区区 区区 区区 区区 E 内建电场内建电场 内建电场内建电场 空间电荷区空间电荷区 空间电荷区空间电荷区 光照下的PN结——光电效应 • 一束光照射在P-N结上，高能光子在P-N结顶层 产生电子-空穴对，长波光子在基区内产生电 子-空穴对。P区、N区的光生少子自由扩散到 P-N结势垒区附近，被内建电场分离：N区中的 空穴被扫入P区，P区中的电子被扫入N区 光照下的PN结——光电效应 E 内建电场内建电场 内建电场内建电场 光照光照 光照光照 N P 型型 型型 型型 型型 空间电荷区空间电荷区 空间电荷区空间电荷区 电池片生产流程 电池的生产工艺流程电池的生产工艺流程 电池的生产工艺流程电池的生产工艺流程 Chemical Etching Diffusion Edge etch 硅片表面化 扩散 去边结 学腐蚀处理 Cleaning process 去PSG Cell