10硅片清洗技术的状况及发展.docVIP

硅片清洗技术的状况与发展 摘要：在分析硅片表面沾污类型的基础上，对目前硅片主要清洗方法的工作原理、清洗效果、适用范围及清洗对硅片表面微观状态的影响等特点进行研究，指出了硅片清洗工艺的发展趋势。 关键词：硅片，玷污类型，硅片清洗，硅片表面微观状态 一、序言 　半导体硅作为现代电子工业的基础材料己有半个世纪的历史，随着亚微米及深亚微米超大规模集成电路(ULSI)遵循着“摩尔定律”迅速发展，设计线宽急剧减小，基体表面的亚微米污物足以导致大量缺陷产生并对生产领域造成一系列影响，给硅片表面质量提出了越来越苛刻的要求。硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等严重影响器件性能，清洗不佳引起的器件失效已超过集成电路制造中总损失的一半。因此，硅片清洗技术成为硅晶片加工和超大规模集成电路工艺研究的一大热点。本文在分析硅片表面污染物基础上，对硅片目前流行的清洗工艺原理作概述，并介绍其最新进展。 二、硅片加工表面污染类型 半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属如钠等，引起严重漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。 三、硅片清洗技术 　RCA 清洗RCA 由Werner Kern 于1965年在N1J1Prin2ceton 的RCA 实验室首创, 并由此得名。RCA 清洗是一种典型的湿式化学清洗。国内外已有多篇文章用不同的分析方法证实了RCA 的有效性。RCA 清洗主要用于清除有机表面膜、粒子和金属沾污。在RCA 清洗工艺中主要使用两组混合化学试剂。第1 种(SC21) 是NH4OH、H2O2和H2O , 比例为1∶1∶5。第2 种(SC22) 为HCl 、H2O2 和H2O , 比例亦为1∶1∶5 。此工艺分为氧化、络合理两个过程。使用H2O22NH4OH 和H2O22HCl 液, 温度控制在75～80 ℃。H2O2 在高pH 值时为强氧化剂破坏有机沾污, 其分解为H2O 和O2 。NH4OH对许多金属有强的络合作用。SC22 中的HCl第20卷　第4 期上海有色金属Vol120 　No141 9 9 9 年12 月SHANGHAI NONFERROUS METALS Dec. 1 9 9 9靠溶解和络合作用形成可溶的碱或金属盐。此符合硅片清洗的主要要求。虽然清洗方法已发展了许多种, 但RCA 清洗在各种清洗方法中仍占主导地位。今天的RCA 有各种修改, 包括清洗步骤的增加或减少。如在SC21 和SC22 的前、中、后加入98 %的H2 SO4 、30 %的H2O2 和HF。HF 终结中可得到高纯化表面, 阻止离子的重新沾污。在稀HCl 溶液中加氯乙酸, 可极好地除去金属沾污。表面活性剂的加入, 可降低硅表面的自由能, 增强其表面纯化。它在HF 中使用时, 可增加疏水面的浸润性,以减少表面对杂质粒子的吸附。在某些时候对SC21 和SC22 本身的配比比例亦进行了大量的修改。其主要趋势是使用较稀的溶液以减轻表面的粗糙度及对保护环境有利。已有许多人使用至少10 倍稀释。在一些情况下使用100 倍稀释。据报道, 效果相同或更好。目前一些研究机构在做一些省略部分步骤的清洗工作, 如用稀的HCl 代替SC22 而不加H2O2 。还有一种新的RCA (四甲基氢氧化铵) 比RCA 更有效、更稳定。无论是传统的RCA 还是经过修改后的RCA 清洗, 对除去硅片表面上的大部分沾污是行之有效的。但该清洗方法也存在有诸多弊端。如在过去1/ 4 世纪中, 硅片表面清洗涉及到许多化学试剂。其处理均在高温过程中进行, 要消耗大量的液体化学品和超纯水。同时要消耗大量的空气来抑制化学品蒸发, 使之不扩散到洁净室。同时, 由于化学试剂的作用, 加大了硅片的粗糙度。该清洗方法仍需进一步改进。如附加高声能可使SC21 和SC22 在较低温度下工作, 以达到减少微粗糙的目的。 超声清洗超声清洗是利用声能振动槽底, 其振动频率大于20kHz。硅片置于槽内液体中, 能量由振子通过槽底传给液体, 并以声波波前的形式通过液体。振动足够强时, 液体被撕开, 产生许许多多的微空腔, 叫空腔泡。超声清洗的能量就存在于这些泡中, 泡遇到硅片表面将崩溃。巨大的能量将起到清洗的作用。超声清洗主要用在切磨后除去大粒子,随着粒子尺寸的减小, 清洗效果下降。为了增加超声清洗效果, 有时在清洗液中加入表面活性剂。但表面活性剂和其它化学试