少子寿命测量方法剖析.pdfVIP

第 33 卷第 6 期 中国测试技术 Vol.33 No.6 2007 年 11月 CHINA MEASUREMENT TECHNOLOGY Nov.2007 晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法 周春兰, 王文静 ( 中国科学院电工研究所, 北京 100080) 摘 要:少数载流子寿命 简称少子寿命 是半导体晶体硅材料的一项重要参数, 它对半导体器件的性能、晶体硅太阳 ( ) 能电池的光电转换效率都有重要的影响。分别介绍了常用的测量晶体硅和晶体硅太阳电池少子寿命的各种方法, 包 括微波光电导衰减法( ), 准稳态光电导方法( ), 表面光电压( ),