微电子器件工艺导论.pptVIP

* * * * * * * 高勇 * * 193nm（immersion) 光刻技术成为 Sub-100nm(90nm-32/22nm)工艺的功臣 新的一代曝光技术？ ·传统的铝互联（电导率低、易加工） ·铜互连首先在0.25/0.18μm技术中使用 ·在0.13μm以后，铜互连与低介电常数绝缘材料共同使用（预测可缩到20nm） ·高速铜质接头和新型低-k介质材料,探索碳纳米管等替代材料 第二个关键技术：多层互连技术 器件及互连线延迟 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 1997 1999 2001 2003 2006 2009 延迟值(ns) 器件内部延迟 2厘米连线延迟 （bottom layer） 2厘米连线延迟 （top layer） 2厘米连线延迟约束 互连技术与器件特征尺寸的缩小 新型器件结构-高性能、低功耗晶体管 FinFET Nano Electronic Device 新型材料体系 SOI材料 应变硅 高K介质 金属栅电极 第三个关键技术:新器件与新材料  Challenges to CMOS Device Scaling Electrostatics ? Double Gate - Retain gate control over channel - Minim