钨的沉积和钨刻蚀残留的改善 (1).pdfVIP

目 录 摘要……………………………………………………………………………………l Abstract………………………………………………………………………………2 第一章引言…………………………………………………………………………3 第二章钨在集成电路制造中的应用………………………………………………6 2—1、硅片在典型CMOS流程当中的主要制作步骤………………………6 2—2、钨在集成电路制造中的应用…………………………………………ll 第三章CVD生长装置及原理………………………………………………………12 3-1、化学气相淀积…………………………………………………………12 3-2、钨CVD生长工艺及原理………………………………………………13 3-3、钨CVD生长装置……………………………………………………17 第四章钨等离子体刻蚀原理 ……………………………………………………20 4-I、等离子体刻蚀………………………………………………………20 4．2、等离子体刻蚀钨原理………………………………………………22 第五章钨刻蚀残留的影响…………………………………………………………24 5-i、钨刻蚀残留……………………………………………………………24 5-2、典型异常现象…………………………………………………………25 第六章钨刻蚀残留的原因及改善 ………………………………………………29 6一l、机械手搬送位置及速度………………………………………………29 6—2、工艺腔位置校准精度………………………………………………34 6—3、加热器状态……………………………………………………………38 6—4、Throttle valve状态………………………………………………40 6—5、钨薄膜的均匀性………………………………………………………42 6—6、钨生长模式…………………………………………………………43 6—7、钨刻蚀充分度…………………………………………………………48 6-8、切换温度………………………………………………………………50 第七章总结 ……………………………………………………………………53 致谢…………………………………………………………………………………55 参考文献 …………………………………………………………………………56 ·I- JIlr l l IIP II FIIflf llllI Y1 摘要 钨CVD在现代先进集成电路制造中有着不可或缺的应用，利用氟化学气体产 生等离子体刻蚀钨的钨回刻工艺在业界中被广泛地使用。在集成电路制造过程中 会发生钨被刻蚀以后硅片表面仍有大面积的宏观钨残留的现象，这样会造成电路 失效，导致废弃硅片。钨薄膜淀积的均匀性是造成钨刻蚀残留的主要原因，通过 改善钨薄膜淀积设备的一些设置，作业方法和作业条件的合理分配，以及钨刻蚀 的条件，有效地改善了钨刻蚀残留现象，减少了硅片的废弃。 关键词：钨CVD 钨刻蚀 钨残留 中图分类号：TN4 ·1· Abstract inmodern circuit W—CVDhas integrated veryimportantapplication Wetch