集成电路制造工艺中的离子注入.pptVIP

①恒定表面源扩散： 扩散过程中，表面的杂质浓度Cs始终保持恒定。;②有限表面源扩散：扩散之前在硅片表面先沉积一层杂质，这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新源补充。;两步扩散：采用两种扩散结合的方式。 预扩散：较低温度，恒定表面源扩散，提供扩散杂质源 主扩散：较高温度，有限表面源扩散， 目的是控制表面浓度和扩散深度 杂质最终分布形式： D预t预D主t主，主扩散起决定作用，杂质基本按高斯函数分布。;影响杂质分布的其他因素: Si中的点缺陷（替位、空位、间隙） 杂质浓度（掺杂浓度高时）;上节课内容小结;第四章 离子注入 ;1952年，美国贝尔实验室就开始研究用离子束轰击技术来改善半导体的特性。 1954年前后，Shockley提出来用离子注入技术能够制造半导体器件，并且预言采用这种方法可以制造薄基区的高频晶体管。 1955年，英国的W. D. Cussins发现硼离子轰击锗晶片时，可在n型材料上形成p型层。 1960年，对离子射程的计算和测量、辐射损伤效应以及沟道效应等方面的重要研究己基本完成，离子注入技术开始在半导体器件生产中得到广泛应用。 1968年，采用离子注入技术制造出具有突变型杂质分布的变容二极管以及铝栅自对准MOS晶体管。 1972年以后对离子注入现象有了更深入的了解，目前离子注入技术已经成为甚大规模集成电路制造中最主要的掺杂工艺。;4.1、核碰撞和电子碰撞 4.2、注入离子在无定形靶中的分布 4.3、注入损伤 4.4、热退火 4.5、离子注入系统及工艺;4.1、核碰撞和电子碰撞;核碰撞：是注入离子与靶内原子核之间的相互碰撞。 ; 由于两者的质量相差非常大(104)，每次碰撞中，注入离子的能量损失很小，而且散射角度也非常小，也就是说每次碰撞都不会改变注入离子的动量，虽然经过多次散射，注入离子运动方向基本不变。;一个注入离子在其运动路程上任一点x处的能量为E，则 核阻止本领就定义为 电子阻止本领定义为 根据LSS理论，单位距离上，由于核碰撞和电子碰撞，注入离子损失能量为 注入离子在靶内运动的总路程;4.1.1、核阻止本领;在p=0时，两球将发生正面碰撞，???时传输的能量最大，用TM表示： 不考虑电子屏蔽作用时，注入离子与靶原子之间的势函数为库仑势： 其中Z1和Z2分别为两个粒子的原子序数，r为距离。 考虑电子屏蔽作用，注入离子与靶原子之间的势函数用下面形式表示： 其中f(r/a)为电子屏蔽函数。;如果屏蔽函数为： 此时注入离子与靶原子核碰撞的能量损失率为常数，用S0n表示。 如果采用用托马斯-费米屏蔽函数，核阻止本领与离子能量的关系Sn(E)如图所示。 低能量时核阻止本领随离子能量呈线性增加，在某个能量达到最大值 高能量时，因快速运动的离子没有足够的时间与靶原子进行有效的能量交换，核阻止本领变小。;As, P, B 在硅中的核阻止本领和电子阻止本领与能量的关系的计算值;4.1.2、电子阻止本领;4.1.3、射程的粗略估计;射程估算： 如果注入离子能量比Ec大很多，则离子在靶内主要以电子阻止形式损失能量，可按下式估算射程 如果注入离子的能量EE c，离子在靶内主要以核阻止形式损失能量，则得射程R的表达式为;4. 2、注入离子在无定形靶中的分布;4.2.1、纵向分布;注入离子分布在Rp的两边，具体分布情况由?Rp决定，?Rp与Rp的近似关系为 注入剂量: 则有 则离子浓度可表示为;与注入离子与靶原子的相对质量有关 B：峰值靠近表面一侧的离子数量高于另一侧（轻，大角度散射） As：x Rp一侧有较多的离子分布（重，散射角小） 尽管如此，实践中通常仍利用理想高斯分布来快速估算注入离子在非晶靶以及单晶靶材料中的分布。; 在能量一定的情况下，轻离子比重离子的射程要深。;4.2.2、横向分布; 在掩膜边缘(即-a和+a处)的浓度是窗口中心处浓度的50％。而距离大于+a和小于-a各处的浓度按余误差下降。; (a) 杂质B、P、Sb通过lμ宽掩膜窗口注入到硅靶中的等浓度曲线 (b) 杂质P以不同能量注入硅靶中的等浓度曲线;硼、磷和砷入射到无定形硅靶中时，ΔRp和ΔR┴与入射能量的关系;4.2.3、沟道效应;为了避免沟道效应，可使晶体的主轴方向偏离注入方向，使之呈现无定形状态，会发生大量碰撞。 偏离的典型值为7°。;部分沟道效应，在两次碰撞之间有沟道效应存在。;4.2.4、浅结的形成;4.3、注入损伤;①如果传递的能量小于移位阈能Ed，被碰原子只是在平衡位置振动，将获得的能量以振动能的形式传递给近邻原子，表现为宏观热能。 ②如果传递的能量大于Ed