第十章 半导体重要术语解释.docx

半导体重要术语解释双极扩散系数：过剩载流子的有效扩散系数。双极迁移率：过剩载流子的有效迁移率。双极输运：具有相同扩散系数、迁移率和寿命的过剩电子和空穴的扩散、迁移和复合过程。双极输运方程：时间和空间变量描述过剩载流子状态函数的方程。载流子的产生：电子从价带跃入导电，形成电子-空穴对的过程。载流子的复合：电子落入价带中的空能态（空穴）导致电子-空穴对消灭的过程。过剩载流子：过剩电子和空穴的总称。过剩电子：导带中超出热平衡状态浓度的电子浓度。过剩少子寿命：过剩少子在复合前存在的平均时间。产生率：电子-空穴对产生的速（#/cm3-s）。小注入：过剩载流子浓度远小于热平衡多子浓度的情况。少子扩散长度：少子在复合前的平均扩散距离：数学表示为，其中D和τ分别为少子寿命。准费米能级：电子和空穴的准费米能级分别将电子和空穴的非平衡浓度状态浓度与本征载流费米能级联系起来。复合率：电子-空穴对复合的速率#/cm3-s）。表面态：半导体表面禁带中存在的电子能态。电导率：关于载流子漂移的材料参数；可量化为漂移电流密度和电场强度之比。扩散：粒子从高浓度区向底浓度区运动的过程。扩散系数：关于粒子流动与粒子浓度剃度之间的参数。扩散电流：载流子扩散形成的电流。漂移：在电场作用下，载流子的运动过程。漂移电流：载流子漂移形成的电流。漂移速度：电场中载流子的平均漂移速度。爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系。霍尔电压：在霍尔效应测量中，半导体上产生的横向压降。电离杂质散射：载流子忽然电离杂质原子之间的相互作用。迁移率：关于载流子漂移和电场强度的参数。电阻率：电导率的倒数；计算电阻的材料参数。饱和速度：电场强度增加时，载流子漂移速度的饱和度。受主原子：为了形成P型材料而加入半导体的杂质原子。载流子电荷：在半导体内运动并形成电流的电子和（或）空穴。杂质补偿半导体：同一半导体区域内既含有施主杂质又含有受主杂质的半导体。完全电离：所有施主杂质原子因失去电子而带正电，所有受主杂质原子因获得电子而带负电的情况。简并半导体：电子或空穴的浓度大于有效状态密度，费米能级位于导带中（n型）或价带中（p型）的半导体。施主原子：为了形成n型材料而加入半导体内的杂质原子。有效状态密度：即在导带能量范围内对量子态密度函数gc（E）与费米函数fF(E)的乘积进行积分得到的参数Nc；在价带能量范围内对量子态密度函数gu(E)与[1-fF(E)]的乘积进行积分得到的参数Nv。非本征半导体：进行了定量施主或受主掺杂，从而使电子浓度或空穴浓度偏离本征载流子浓度产生多数载流子电子（n型）或多数载流子空穴（p型）的半导体。束缚态：低温下半导体内的施主与受主呈现中性的状态。此时，半导体内的电子浓度与空穴浓度非常小。本征载流子浓度ni：本征半导体内导带电子的浓度和价带空穴的浓度（数值相等）。本征费米能级EFi：本征半导体内的费米能级位置。本征半导体：没有杂质原子且晶体中无晶格缺陷的纯净半导体材料。非简并半导体：掺入相对少量的施主和（或）受主杂质，使得施主和（或）受主能级分立、无相互作用的半导体。允带：在量子力学理论中，晶体中可以容纳电子的一系列能级。状态密度函数：有效量子态的密度。它是能量的函数，表示为单位体积单位能量中的量子态数量。电子的有效质量：该参数将晶体导带中电子的加速度与外加的作用力联系起来，该参数包含了晶体中的内力。费米-狄拉克慨率函数：该函数描述了电子在有效能级中的分布，代表了一个允许能量状态被电子占据的慨率。费米能级：用最简单的话说该能量在T=OK时高于所有被电子填充的状态的能量，而低于所有空状态能量。禁带：在量子力学理论中，晶体中不可以容纳电子的一系列能级。空穴：与价带顶部的空状态相关的带正电“粒子”。空穴的有效质量：该参数同样将晶体价带中空穴的加速度与外加的作用力联系起来，而且包含了晶体中的内力。K空间能带图：以k为坐标的晶体能量曲线，其中k为与运动常量有关的动量，该运动常量结合了晶体内部的相互作用。克龙尼龙-潘纳模型：由一系列周期性阶跃函数组成，是代表一维单晶晶格周期性势函数的数学模型。麦克斯韦-玻尔兹曼近似：为了用简单的指数函数近似费米-狄拉克函数，从而规定满足费米能级上下若干kT的约束条件。泡利不相容原理：该原理指出任意两个电子都不会出子处在同一量子态。德布罗意波长：普朗克常数与粒子动量的比值所得的波长。海森堡不确定原理：该原理指出我们无法精确确定成组的共轭变量值，从而描述粒子的状态，如动量和坐标。光子：电磁能量的粒子形态。量子化能量：束缚态粒子所处的分立能量级。量子数：描述粒子状态的一组数，例如原子中的电子。量子态：可以通过量子数描述的粒子状态。隧道效应：粒子穿透薄层势垒的量子力学现象。波粒二相形：电磁波有时表现为粒子状态，而粒子有时表现为波动状态的特性。二元半导体：两元素化合物半