第10章 常用半导体器件概要1.ppt

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第10章 常用半导体器件概要1

常用半导体器件 二极管的基本知识 10.1 三极管 10.2 晶闸管 *10.3 第一节 二极管 第一节 二极管 一、二极管的结构和类型 从二极管P区引出的外引线称为二极管的阳极,将从二极管N区引出的外引线称为二极管的阴极。二极管的符号如图所示,其中三角箭头表示正向电流的方向,正向电流从二极管的阳极流入,阴极流出。 PN结 电流方向 第一节 二极管 二、二极管的单向导电性 在PN结两端外加电压,称为给PN加上偏置。当P区电位高于N区时称为正向偏置;反之,当N区电位高于P区时称为反向偏置。PN结最重要的特性就是单向导电性。 正偏:在PN结上加正向电压时, PN结电阻很低,正向电流较大,PN结处于导通状态。 反偏:加反向电压时,PN结电阻很高,反向电流很小,PN结处于截止状态。 三、二极管的伏安特性 二极管的主要特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图5-3所示。(以正极到负极为参考方向)。 1)外加正向电压很小时,二极管呈现较大的电阻,几乎没有正向电流通过。曲线 段(或 段)称作死区,点 (或 )的电压称为死区电压,硅管的死区电压一般为0.5V,锗管则约为0.1V。 2)二极管的正向电压大于死区电压后,二极管呈现很小的电阻,有较大的正向电流流过,称为二极管导通,如 段(或 )特性曲线所示,此段称为导通段。从图中可以看出:硅管电流上升曲线比锗管更陡。二极管导通后的电压为导通电压,硅管一般为0.7V,锗管约为0.3V。 1.正向特性 2.反向特性 1)当二极管承受反向电压时,其反向电阻很大,此时仅有非常小的反向电流(称为反向饱和电流或反向漏电流),如曲线段 (或 段)所示。实际应用中二极管的反向饱和电流值越小越好,硅管的反向电流比锗管小得多,一般为几十微安,而锗管为几百微安。 2)当反向电压增加到一定数值时(如曲线中的 点或 点),反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿,此时对应的电压称为反向击穿电压,用 表示,曲线中 段(或 段)称为反向击穿区。通常加在二极管上的反向电压不允许超过击穿电压,否则会造成二极管的损坏(稳压管除外)。 图5-3 二极管的伏安特性 四、二极管的主要参数 (1)最大整流电流 它是指二极管长期工作时所允许通过的最大正向平均电流。实际应用时,流过二极管的平均电流不能超过这个数值,否则,将导致二极管因过热而永久损坏。 (2)最高反向工作电压 指二极管工作时所允许加的最高反向电压,超过此值二极管就有被反向击穿的危险。通常手册上给出的最高反向工作电压 约为击穿电压 的一半。 (3)反向电流 指二极管未被击穿时的反向电流值。 越小,说明二极管的单向导电性能越好。 对温度很敏感,温度增加,反向电流会增加很大。 五、特殊二极管 1.稳压二极管 稳压二极管简称稳压管,它是一种用特殊工艺制造的面结合型硅半导体二极管,其图形符号和外形封装如图5-4所示。 图5-4 稳压二极管的图形符号与外形 外形 图形符号 ~ 范围内变化。 稳压管的伏安特性曲线 工作区域 稳压管的应用 使用时,阴极接外加电压的正极,阳极接外加电压负极,管子反向偏置,工作在反向击穿状态,利用它的反向击穿特性稳定直流电压。 二极管在反向击穿状态下,流过管子的电流变化很大,而两端电压变化很小,稳压管正是利用这一点实现稳压作用的。稳压管工作时,必须接入限流电阻,才能使其流过的反向电流在 ~ 范围内变化 发光二极管是一种光发射器件,能把电能直接转换成光能的固体发光器件,它是由镓(Ga)、砷(As)、磷(P)等化合物制成的,其图形符号如图5-6a所示。由这些材料构成的PN结加上正偏电压时,PN结便以发光的形式来释放能量。 发光二极管的种类按发光的颜色可分为红、橙、黄、绿和红外光二极管等多种,按外形可分为方形、圆形等。图5-6b是发光二极管的外形,它的导通电压比普通二极管高。 2.发光二极管 图5-6 发光二极管的图形符号和外形 图形符号 外形 发光二极管的应用 应用时,加正向电压,并接入相应的限流电阻,它的正常工作电流一般为几个毫安至几十毫安。发光强度在一定范围内与正向电流大小近似成线性关系。 发光二极管作为显示器件,除单个使用外,也常做成七段式或矩阵式,如用作微型计算机、音响设备、数控装置中的显示器。 发光二极管

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