第三章 典型激光器概要1.ppt

半导体激光器的基本结构和工作原理 图3-24 GaAs激光器的结构 半导体激光器的工作原理和阈值条件 图3-24b示出台面形管芯激光器的外形结构，管芯的形状有长方形，台面形,电极条形等多种，图3-24a 的管芯形状是长方形， P-N 结的厚度仅几十微米，一般是在N型GaAs衬底上生长一薄层P型 GaAs 而形成P-N 结。 3.4 半导体激光器 半导体激光器工作的阈值条件 激光器产生激光的前提条件除了粒子数发生反转还需要满足阈值条件 增益系数和粒子数反转的关系也取决于谐振腔内的工作物质 半导体激光器的工作原理和阈值条件 3.4 半导体激光器 工作物质实现了粒子数反转后，光在谐振腔内传播时便有增益，但能否有效地形成激光振荡，还与腔内损耗有关。只有在增益恰等于损耗时才能满足振荡的阈值要求。 这说明半导体激光器的增益不仅要大于零，还必须达到某一数值才能形成激光。 t复合-结区电子寿命 t复合=1/A21 △n-粒子数反转值 半导体激光器的阈值电流 在一定的时间间隔内，注入激光器的电子总数与同样时间内发生的电子 与空穴复合数相等而达到平衡 半导体激光器的工作原理和阈值条件 3.4 半导体激光器 当正向电流密度J达到阈值J阈后形成激光。 数值例： GaAs P-N 结激光器 半导体激光器的工作原理和阈值条件 3.4 半导体激光器 同质结和异质结半导