第一性原理研究c对zno晶体和电子结构的影响 - 武汉理工大学学报.pdf

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2017-09-02 发布于天津
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第一性原理研究c对zno晶体和电子结构的影响 - 武汉理工大学学报

第卷第期武汉理工大学学报 34 暋 8 暋暋暋暋暋暋暋 Vol.34暋No.8 JOURNALOFWUHANUNIVERSITYOFTECHNOLOGY 暋Au.2012 年月 g 2012 8 棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁 : / doi10.3963 .issn.1671灢4431.2012.08.003 j 第一性原理研究对晶体和电子结构的影响 C ZnO , 12 2 2 2 , , , 王琳李河刘桂珍周建暋暋暋 ( , ; , ) 1.武汉理工大学信息工程学院武汉 4300702.武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室武汉 430070 : , 摘要基于实际研究中较少关注的杂质对中的影响通过第一性原理研究了中非故意掺杂的杂质对暋暋 C ZnO ZnO C , : , 。其晶体结构和电子结构的影响结果发现易引起晶格畸变造成化合键断裂的现象与其周围的在高能 C ZnO C O Zn , , ; , , 位易发生氧化还原反应产生引起缺陷低能位的能存在晶格之中产生一个新的施主能级导电性 CO V C ZnO 2 O Zn , , 。呈现型对型掺杂能产生强烈的补偿作用不利提高材料的型导电性能 n p p : ; ; ; 关键词第一性原理碳氧化锌掺杂暋暋暋暋中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) 暋O731 暋A 1671灢4431201208灢0011灢05 First灢rincilesStud ontheStructureandEl