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* * AES分析方法原理 AES谱仪基本构成 AES谱仪实验技术 AES谱图分析技术 俄歇电子能谱（AES）—大本讲义 SIMS基本结构及技术特点 XPS/AES/SIMS方法比较 二次离子质谱分析技术 离子溅射过程：一定能量的离子打到固体表面→引起表面原子、分子或原子团的二次发射—溅射离子；溅射的粒子一般以中性为主，有＜1%的带有正、负电荷—二次离子； 二次离子质谱：利用质量分析器接收分析二次离子质量—电荷比值（m/Z）获得二次离子质谱，判断试样表面的元素组成和化学状态； 溅射产额：影响二次离子产额因素→与入射离子能量、入射角度、原子序数均有一定关系，并与靶原子的原子序数、晶格取向有关； 离子溅射与二次离子质谱 聚苯乙烯的二次离子质谱 离子源 质量分析器 检测器 二次离子质谱 二次离子深度分析 二次离子分布图像 二次离子质谱系统结构示意图 1 2 3 4 5 初级离子枪：热阴极电离型离子源，双等离子体离子源，液态金属场离子源；离子束的纯度、电流密度直接影响分析结果； 二次离子分析器：分析质荷比→磁偏式、四极式（静态SIMS ）、飞行时间式（流通率高，测量高质量数离子）质量分析器；分析能力取决于分析器的穿透率及质量解析能力； 离子探测器：离子流计数→高离子电流采用法拉第杯；低离子电流采用电子倍增管； 数据采集和处理系统：控制分析工作的进行与数据处理； 主真空室：