脉冲直流等离子体增强化学气相沉积ti-si-n 纳米薄膜的 - 摩擦学学报.pdfVIP

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2017-09-02 发布于天津
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脉冲直流等离子体增强化学气相沉积ti-si-n 纳米薄膜的 - 摩擦学学报.pdf

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脉冲直流等离子体增强化学气相沉积ti-si-n 纳米薄膜的 - 摩擦学学报

第 23 卷　第 6 期摩擦学学报 23, 　 6 V o l N o 2003 年 11 月 TR IBOL O GY N ov , 2003 脉冲直流等离子体增强化学气相沉积 - - T i Si N 纳米薄膜的摩擦磨损特性 1 1 1 1 2 马大衍 , 王　昕 , 马胜利 , 徐可为 , 徐　洮 ( 1. 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室, 陕西西安　7 10049; 2. 中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室, 甘肃兰州　730000) 摘要: 采用工业型脉冲等离子体增强化学气相沉积设备, 通过调节氯化物混合比例控制薄膜成分, 在高速钢基材表面于 550 ℃下沉积由纳米晶和纳米非晶组成的复合薄膜; 采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、 T iN Si N T i Si N X 3 4 射线衍射仪及X 射线光电子能谱仪分析了薄膜的结构、组成和化学状态; 采用球盘高温摩擦磨损试验机考察了薄膜同GC r 15 钢对摩时的摩擦磨损性能. 结果表明: 薄膜的 Si 含量在 0%～ 35% 范围内变化, 随着 Si 含量增大, 薄膜沉积速率增大, 但薄膜由致密形态向大颗粒疏松态过渡; 薄膜的晶粒尺寸为 7～ 50 ; 薄膜的显微硬度高于 nm T i Si N T iN ( 的硬度, 最高可达 60 GP a; 引入少量 Si 可以显著改善 T iN 薄膜的抗磨性能, 但薄膜的摩擦系数较高室温下约 0. 8、 400 ℃下约 0. 7) ; 随着含量的增加, 薄膜的耐磨性能有所降低, 其原因在于引入导电性较差的元素使得 Si T i Si N Si 薄膜的组织变得疏松. 关键词: 等离子体增强化学气相沉积(