纳米电子学电子科大.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * GaAs的导带双能谷结构与速场特性 n-GaAs的导带具有双能谷结构。即n型GaAs导带中的多数载流子—电子，当它具有不同能量时，就会呈现两种不同的状态。 当电子能量低时，都处于下能谷中。当外加电场超过阈值电场Eth时（对n-GaAs，Eth=3200 V/cm），下能谷的电子获得的能量大于上下能谷的能量差，就从下能谷跃迁到上能谷，这时电子的状态就由轻电子转变为重电子，快电子转变为慢电子。导带电子的平均漂移速度就变慢。 体效应二极管的工作原理 当外加偏压较小时（小于阈值电压），样品内的电场和载流子均匀分布，而外加偏压大于阈值时，样品中的电场和载流子浓度不再均匀 n型GaAs层中，某处电子平均漂移速度的减小，就形成电子的积累层，对应的就出现了耗尽层。这时外加的强电场大部分集中在此区域内，所以此区域也称高场畴。 在外加电压作用下，畴从阴极向阳极渡越并不断成长。畴完全长成后，以饱和漂移速度（对n-GaAs为107cm/s）向阳极渡越。畴到达阳极后，被阳极吸收。体内电场又升高，当超过阈值时，在阴极附近立即成畴，整个