半导体公式(大三期末复习资料）.doc

粒子能量 电子的有效质量 （价带顶(空穴)m*0，导带底（电子）m*0） 状态密度函数 导带中的电子有效状态密度 价带中的电子有效状态密度 概率密度函数 （EF为费米能级） T=300K，kT=0.0259eV 本征半导体 热平衡时电子浓度为 或 （Nc为导带有效状态密度，n0Nc） 热平衡时空穴浓度为 本征载流-子浓度，EFi为本征费米能级 本征费米能级相对禁带中央的位置 （若，； 若，； 若，；） 推导 非本征半导体 热平衡时电子浓度为 热平衡时空穴浓度为 热平衡状态下的半导体 补偿半导体（指在同一区域内同时含有施主和受主杂质原子的半导体 ，n型补偿半导体 ，p型补偿半导体 ，完全补偿半导体） //电子浓度（N型） //空穴浓度（P型） EF随掺杂浓度和温度的变化 随着掺杂浓度的提高，n型半导体的费米能级逐渐向导带靠近，p型半导体逐渐向价带靠近； 随着温度的升高，ni增加，费米能级趋近于本征费米能级。 载流子运输（漂移运动和扩散运动） 电导率 电子漂移电流密度（u为迁移率） 空穴漂移电流密度 电子扩散电流密度 （D为扩散系数） 空穴扩散电流密度 //总电流密度 霍尔效应 霍尔电压VH为正，P型半导体；霍尔电压为负，N型半导体。· 载流子浓度与霍尔电压成反比，金属的霍尔效应不明显//空穴浓度 浓度为正//电子浓度 载流子浓度和电场强度与迁