半导体重点(大三期末复习资料）.docx

第一章金刚石结构：锗、硅单晶材料均为金刚石结构，它是由两个面心立方结构套构形成。一个单位立方体中有8个原子硅和锗的晶格常数分别为：0.543089nm和0.565754nm体密度：5×1022cm-3和4.42×1022cm-3两原子间的最短距离：0.235nm和0.245nm共价半径分别为：0.117nm和0.122nm第三章固体能带理论是单电子近似理论：把每个电子的运动看成是独立的在一个等效势场中的运动。电子的共有化运动：当原子相互接近形成晶体时，不同原子的内外各电子壳层之间就有了一定程度的交叠，相邻原子最外壳层交叠最多，内壳层交叠较少；原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原于转移到相邻的原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动。能带的形成：原子靠近→电子云发生重叠→电子之间存在相互作用→分立的能级发生分裂。从另外一方面来说，这也是泡利不相容原理所要求的。通过布洛赫定理，我们仅仅知道了晶体中电子波函数是调幅平面波，但其具体的E-k 形式还要通过进一步求解薛定谔方程来得到。布里渊区与能带：能量不连续，形成允带和禁带。允带出现在以下几个区（布里渊区）中：第一布里渊区（简约布里渊区）第二布里渊区第三布里渊区关于能带有以下结论：一个能带只能有N 个允许的状态；考虑电子有两种自旋状态，故一个能带能容纳2N 个电子；对于复式格子，每个能带允许的电