电力电子技术-第一章第四节.pptVIP

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2、IGBT的基本特性 (1)?IGBT的静态特性 IGBT的开通过程?????? 与MOSFET的相似 开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 开通时间ton uCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。 tfv1——IGBT中MOSFET单独工作的电压下降过程; tfv2——MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程。 关断延迟时间td(off) 电流下降时间 关断时间toff 电流下降时间又可分为tfi1和tfi2两段。 tfi1——IGBT器件内部的MOSFET的关断过程,iC下降较快。 tfi2——IGBT内部的PNP晶体管的关断过程,iC下降较慢。 3、IGBT的主要参数 IGBT的特性和参数特点总结如下: * 1.4 典型全控型器件 1.4.1 电力晶体管 电力晶体管(Giant Transistor——GTR,直译为巨型晶体管)。 是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor——BJT),英文有时候也称为Power BJT,与GTR名称等效。 20世纪80年代以来,在中、小功率范围内取代晶闸管,但目前其地位已大多被IGBT和电力MOSFET所取代。 1 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。 与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。 图1-15 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 c) 内部载流子的流动 1.4 典型全控型器件 1.4.1 电力晶体管 1、GTR的结构和工作原理 2 在应用中,GTR一般采用共发射极接法。 集电极电流ic与基极电流ib之比为 ? ——GTR的电流放大系数,反映了基极电流对集电极电流的控制能力 。 单管GTR的? 值比处理信息用的小功率晶体管小得多,通常为10左右,采用达林顿接法可有效增大电流增益。 1.4 典型全控型器件 1.4.1 电力晶体管 空穴流 电 子 流 c) E b E c i b i c = b i b i e =(1+ b ) i b 3 1.4 典型全控型器件 1.4.1 电力晶体管 2、GTR的基本特性 (1)? 静态特性 共发射极接法时的典型输出特性:截止区、放大区和饱和区。 在电力电子电路中GTR工作在开关状态。 但在开关过程中,即在截止区和饱和区之间过渡时,要经过放大区。 截止区 放大区 饱和区 O I c i b3 i b2 i b1 i b1 i b2 i b3 U ce 图1-16 共发射极接法时GTR的输出特性 4 1.4 典型全控型器件 1.4.1 电力晶体管 开通过程 延迟时间td和上升时间tr,二者之和为开通时间ton, 加快开通过程的办法 。 关断过程 储存时间ts和下降时间tf,二者之和为关断时间toff , 加快关断速度的办法。 GTR的开关时间在几微秒以内,比晶闸管短很多 。 i b I b1 I b2 I cs i c 0 0 90% I b1 10% I b1 90% I cs 10% I cs t 0 t 1 t 2 t 3 t 4 t 5 t t t off t s t f t on t r t d 图1-17 GTR的开通和关断过程电流波形 (2)? 动态特性 5 1.4 典型全控型器件 1.4.1 电力晶体管 3、GTR的主要参数 1)??最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿。击穿电压不仅和晶体管本身特性有关,还与外电路接法有关。 BUcbo BUcex BUces BUcer BUceo。 实际使用时,最高工作电压要比BUceo低得多。 2)?集电极最大允许电流IcM 3) 集电极最大耗散功率PcM SOA O I c I cM P SB P cM U ce U ceM 图1-18 GTR的安全工作区 6 使用时,只能用到IcM的一半或稍多一点。 1.4 典型全控型器件 1.4.2 电力场效应晶体管 分为结型和绝缘栅型 通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称电力MOSFET(Power MOSFET) ?特点——用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单,需要的驱动功率小。 开关速度快,工作频率高。 热稳定性优于GTR。 但电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。 电力MOSFET 1 1.4 典型全控型器件 1.4.2 电力场效应晶体管 MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之

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