电子电路第一章习题课.pptVIP

1.5 Multisim步骤 如图搭建电路（为更好地观测输入输出波形，将示波器的两个通道分别连接输入端和输出端，并以不同颜色区分） 开始仿真并双击示波器观察，可看到如下波形（注意调整示波器的设置） 1.8 Multisim步骤 如图搭建电路（为简化电路形式，电源直接用交流电源，电容电阻参数可以自行修改） 运行后可以看到如下波形 作为对比可观察去掉电容后的波形（1.7） 1.13 画出N沟道JFET的转移特性曲线和漏极特性曲线；指出电阻区和夹断区以及它们的分界线；写出转移特性方程式；定义 。 1.14 画出N沟道耗尽型与增强型MOSFET的转移特性曲线和漏极特性曲线；标明电阻区及夹断区以及它们的分界线；定义 ；写出它们在可变电阻区和恒流区的特性方程式。 1.15 已知某3DJ6（N-JFET）的漏极特性如图P1.15所示。试由漏极特性作出 三种情况下的转移特性。 1.16 已知某P沟道JFET的参数： × ， 试求出 时的完整小信号等效电路。 1.17 设PMOSFET的工艺参数： ×静态工作电流 试画出它的低频小信号等效电路。若 时的等效电路中的受控电流源。 1.18 试简述MOSFET的主要特性。 1、电压（电场）控制特性；2、可变电阻特性；3、在夹断区（放大区）iD与vGS的平方率特性；4、在亚阀区的导电特性；5、背栅控制特性（体效应）；6、转移特性曲线的零温度系数特点；7、与BJT相似，在放大区具有沟道调制效应。 1.19 MOSFET的亚阀区导电特性有什么特点？与BJT作对比，在MOS管 时，它们是否还有放大能力？ 在vBS 0下，只有vGSVGS(th)才可能形成沟道。vBS对导电沟道也有一定的控制能力，这种现象称为体效应或衬底调制效应。 VGS(th)的值改变iD的值，因而vBS对iD有控制作用，B极又称为背栅。 1.20 解释MOSFET的体效应，它对MOSFET的放大作用有何影响？ 背栅 c a a e b d c f 4、温度下降时，二极管的导通电压____，反向饱和电流____。 增大 减小 5、硅管的导通电压比锗管的____，反向饱和电流比锗管的____。 大 小 6、BJT具有电流放大作用的内部条件是：发射区掺杂浓度____，基区掺杂浓度____且制作得很____，集电结面积____；外部条件是发射结____，集电结____。 高 薄 低 大 正偏 反偏 7、当温度升高时，BJT的参数B____，ICBO____，发射结正向压降UBE____，共射输入特性曲线将____，输出特性曲线将____，而且输出特性曲线之间的间隔将____。 增大 增加 减小 左移 上移 加大 10、结型场效应管属电流表达式是 8、三极管工作有三个区域:在放大区时，偏置为___________和___________；饱和区的偏置为___________和___________；截止区的偏置为___________和___________。 发射结正偏 集电结反偏 9、场效应管属____控制型器件，它通过改变________来控制________。描述这一控制作用的参数为________，其定义式为 。 电压 低频跨导 栅源电压 漏极电流 发射结正偏 集电结正偏 发射结反偏 集电结反偏 11、对N沟道JFET工作在恒流区时____，工作在可变电阻区时____，工作在预夹断状态时____。 a b c 12、N沟道JFET管的UGS必须为____，P沟道JFET管的UGS必须为____，N沟道增强型MOS管的UGS必须为____，P沟道增强型MOS管的UGS必须为____，N沟道耗尽型MOS管的UGS可以是____。 A.负值 B.正值 C.正值、零、负值 c a a b b 第三章放大电路的频率特性－1 第三章放大电路的频率特性－1 电子电路第一章习题课 2011.3.25 1.1 说明PN结的工作原理 P型区到N型区的过渡带两边的自由电子和空穴浓度相差很大，在浓度差下形成扩散运动，P区的空穴（多子）向N区扩散，N区的自由电子（多子）向P区扩散，在过渡区域产生强烈的复合作用使自由电子和空穴基本消失，在过渡带中产生一个空间电荷区（耗尽区），扩散运动使过渡带内失去了电中性，产生电位差和电场，分别称为接触电位差和内建电场，内建电场由N区指向P区阻碍多子的扩散运动，却促进过渡带中少子的漂移运动，漂移运动中和过渡