硅半导体表面杂质清洗的化学知识简介.pptxVIP

第三章 硅半导体表面杂质清洗 的化学知识简介; 对硅片表面清洗的化学知识做了简要介绍，请读者在学习和应用时，进一步查阅相关书籍，核对相关数据和知识。 ;;5无机杂质的去除 5.1无机酸 5.2氧化剂 5.3络合剂 6清洗中的安全问题 7铜布线层CMP后的清洗简介（微所在研项目） 8清洗新研究的查阅;;1.2水电阻率的影响因素 水越纯，杂质离子浓度越小，电阻率越大， 可用电导仪测水的电阻率， 空气：空气中的二氧化碳、其它可溶气体、灰尘等可溶于水中，使电阻率降低， 温度：温度升高，水中杂质溶解度加大，杂质离子运动速度加快，水的电离度增大，电阻率降低， 容器： 塑料、有机玻璃、石英玻璃等在纯水中溶解性较小，贮存高纯水一般用塑料容器。一般玻璃、金属等在纯水中具有一定可溶性。放置一段时间后，有微量的玻璃（硅酸盐）或金属、金属化合物溶解，使电阻率降低。;;一般用强酸型阳离子交换树脂，聚苯乙烯磺酸型离子交换树脂R- SO3H 。 它具有较大的交换容量，对酸碱溶剂和氧化剂都比较稳定，耐磨，耐热性可达111℃以上。;2.2离子交换法的装置 离子交换法多用：复床—混合床装置， 复床是阳、阴离子交换柱串联，混合床是将阳、阴离子交换树脂按1: 2比例混和在一个交换柱内， （因为所选阳树脂的交换容量约为阴树脂的2倍，混合后成中性 混合床的阳树脂要比阴树脂的比重大些，混合后易分层）;2.3离子交换法的原理 阳离子交换树脂R’- SO3H中的氢离子H+与杂质阳离子进行交换，;使用过的树脂，可进行再生处理。 失效的阳树脂，如Na型阳树脂，可用一定量5~8%盐酸进行再生处理。;实际离子交换法还有紫外线照射、活性炭过滤等步骤。;2.5电渗析法和反渗透法简介 电渗析法 是把离子交换树脂做成膜片状，再嵌接上交换基团，加上外电场。阳膜只允许通过阳离子，阴膜只允许通过阴离子，使无机杂质离子和水分离。 反渗透法 反渗透与扩散相反， 假如有两份含盐等杂质的溶液，用一种半透膜分隔开，较浓的溶液易渗透到较淡的溶液中去，使两边溶液浓度接近， 反渗透法就是在淡溶液的一边加压，使渗透方向反过来，把淡溶液的杂质压到浓溶液那边去， 其脱盐率一般大于98%，被广泛用于工业纯水及电子超纯水制备。;;典型的硅片湿法清洗流程，RCA清洗;RCA清洗流程 先去除有机杂质，再用1号碱性H2O2和2号酸性H2O2进一步去除有机和无机杂质等， 每一步都用氢氟酸去SiO2氧化层，并用高纯水冲洗。 最后进行干燥 先去除有机杂质，因为它们有疏水性，把硅表面与水隔离开，对清除无机杂质有阻碍作用。 用到的试剂 去除有机杂质，是SPM (Sulfuric Peroxide Mixture)，是H2O2/H2SO4 1号标准清洗液（SC-1），碱性过氧化氢，APM(Ammonia Peroxide Mixture) ，H2O2/NH4OH/H2O， 2号标准液（SC-2），酸性过氧化氢，HPM(Hydrochloric Peroxide mixture)， H2O2/HCl/H2O， 稀释的氢氟酸，DHP(Diluted HF)，HF/H2O， 超纯水，UPW(Ultra Pure Water)， H2O.;;一般按甲苯、丙酮、乙醇、水的次序清洗 乙醇既有烃基（如CH3）又有羟基（-OH），因此乙醇既能与甲苯、丙酮相溶，又能于水相溶。所以按这种次序，不仅能把油脂，还能把甲笨、丙酮、乙醇等有机溶剂都除去。 ;4.2碱和肥皂去油污 碱液（如氢氧化钠）和油脂反应，生成脂肪酸的钠盐（肥皂） 肥皂用通式R-COONa表示， 在水中电离出R-COO- 和Na+离子。 R-COO-离子一端是烃基是疏水基，亲油 另一端羟基—OH，是亲水基，亲水 这种有亲水基和疏水基的物质叫表面活性剂，把不溶的油分子和水分子连结在一起，这样油就可以被水冲走了。;4.3合成洗涤剂去油污 合成洗涤剂是有机合成的表面活性剂。如洗衣粉 分为负离子型和非离子型。 负离子型表面活性剂，电离出的负离子发挥作用， 如十二烷基苯磺酸钠， 疏水基， 亲水基， 有较多钠离子，不宜用来清洗硅片， ;非离子型表面活性剂，原化合物发挥作用， 如十二醇聚乙二醇醚， 疏水基是烃基，亲水基是羟基-OH和半亲水基如醚基R-O-R’。 这类活性剂分子去油脂能力强。含钠离子少，适合半导体清洗。;;浓盐酸具有强酸性、强腐蚀性和易挥发性。 HCl的强酸性 清洗中利用盐酸的强酸性来溶解硅片表面沾污的活泼金属、金属氧化物、氢氧化物和部分盐类。 所生成的金属氯化物大部分可溶于水，可用大量的高纯水冲洗清除。 盐酸不能直接与铜、银、金等不活泼的金属反应。 ;(2)硫酸H2SO4 硫酸是无色无嗅的油状液休，浓