采用原电池法制备纳米多孔硅.pdfVIP

下载本文档

2
0
约6.66千字
约 5页
2017-07-08 发布于北京
举报
版权申诉

采用原电池法制备纳米多孔硅.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

采用原电池法制备纳米多孔硅.pdf

第5卷第1期纳米技术与精密工程 V01．5No．1 Precision Mar．2007 2007年3月 Nan帜hnoIo科柚dEng．m∞ring 采用原电池法制备纳米多孔硅宗杨，胡明，窦雁巍，刘志钢 (天津大学电子信息工程学院。天津300072) 摘要：利用原电池法在硅片表面制备了纳米多孔硅层；用扫描电镜sEM和原子力显微镜AFM观察了多孔硅表面形貌：原电池法与电化学法得到的多孔硅孔径均在lO一20nm范围．研究结果表明：铂膜电极厚度的增大以及铂膜电极与暴露硅片面积比的增大，会导致多孔硅层的厚度增大．热学模拟结果表明：以纳米多孔硅作为绝热层可获得与悬浮结构相同的效果．关键词：原电池法；纳米多孔硅；绝热中图分类号：7rN402文献标志码：A 文章编号：1672-6030(2007)Ol一0028一05 oftheNanometerPorousSilicon Preparation ElementMethod Galvallic U蓟ng ZONG Yan—wei，LIU Yang，HUMing，DOU Zhi—gang 0fElectrollicI幽姗ation (Sch00l 300072，China) En西neering，Ti肌jinUnivers畸，Ti龃jin The siliconontIlesu如ce0fthebulksiliconisfomed elementmemod．ne Abstmct： porous usinggalvaIlic 8u血ce of siliconisobser、red衍thSEMaIld ofthe silicon，which m呷h0109ypomus AFM．ne印erturesporous both nm．弧eresults method el锄ent inthe adoptelect瑚hemisⅡyand列vanicmethod，are mge《lO—20 showthattheincreaseofthethicknessof electrodeandthe oftlle electrodeaIldtlle platinum proportionplatinum ofthe shows silicon leadtotheincreaseofthethickness silicon．The姗alsimuIation exposed chip而U porous canbe as