4H-SiCMESFET新结构的特性分析.PDF

Electronic Technology • 电子技术 4H-SiC MESFET 新结构的特性分析 文/彭强 半导体场效应晶体管生产与制造的研究日益增 L ）0.35/0.2μm ，浅沟槽深度（h ）0.02μm ， G2 1 μ μ 随着新型材料技术的不断发 多，且取得了显著成就。有研究指出，与普通 栅漏距离（LGD ）1.8 m ，栅源距离（LGS ）0.5 m ， 摘 展，金属半导体材料不断被研发 型结构击穿电压相比，双凹型结构出现大幅 漏长（L ）0.5μm ，源长（L ）0.5μm ，浅台阶 D S 要 出来，推动了我国微电子产业的 度下降，为了解决上述问题，现提出 4H-SiC 宽度（L ）0.4μm ，距离（S/W）0.4/0.5μm 。 发展。碳化硅材料具备诸多优点， 1 在金属半导体场效应晶体管制造 MESFET 新型结构。 2 建立物理模型 中取得显著进展。现将浮空金属 1 器件结构 板加入到双凹型 4H-SiC MESFET 运用器件仿真软件 Atlas （Silvaco 公司生 栅漏间，并将阶梯沟道引入，使 基于双凹结构提出了 4H-SiC MESFET 新 产）实施二维器件仿真。基于连续性方程、基 漏端周围的栅边缘电场积聚显著 减少，促进击穿电压提升。通过 结构，该结构拥有浮空金属板与阶梯沟道。如 础泊松方程外，对载流自复合和产生充分考虑， 二维数值模拟，可以发现此结构 图 1 所示。结构器件结构包括一个高掺杂的 将 Auger 与 SRH 模型加入其中；高电场环境 在击穿电压与饱和漏电流方面， N+ 帽、N 型沟道、P 型缓冲层、半绝缘衬底， 下载流子速度出现饱和，加之浓度给载流子漂 具备显著优势。 这些结构共同叠加成 4H-SiC MESFET 新结构， 移速率产生一定影响，将 Fldmob 与 Analytic 器件表面钝化层主要是 Si N 。 迁移率模型加入其中；由于碳化硅材料中