采用溶胶凝胶前驱物制备氮化镓纳米晶体.pdfVIP

! 第# 卷 第$ 期! ! ! ! ! ! ! ! ! 人! 工! 晶! 体! 学! 报! ! ! ! ! ! ! ! %’( #! )( $! ! *++, 年- 月! ! ! ! ! ! ! ! ! ./01)23 /4 56)7897:; ;1657235 ! ! ! ! ! ! ! ! ! 2=? ，*++, ! ! 采用溶胶凝胶前驱物制备氮化镓纳米晶体 邱海林，王迎春，许光燕，曹传宝 （北京理工大学材料科学研究中心，北京@+++-@ ） 摘要：采用溶胶凝胶法制备的前驱物进一步在A++B ，氨气气氛中氮化得到粒径相对均匀、平均粒径为@@( *CD 的六 方相氮化镓纳米晶体。E1F ，8179G ，529F ，9F5 ，47:1 被用于表征产物的微结构及组成。室温光致发光光谱显 示产物位于( $,H% 的带边发光峰和从*( , I ( *H% 的宽的发光带。产物可直接用于制备氮化镓量子点复合材料 和制备高质量的一维氮化镓晶体。 关键词：氮化镓；溶胶凝胶；光致发光 中图分类号： /J- ! ! 文献标识码：2 ! ! 文章编号：@+++KA-#E（*++, ）+$K+,-*K+$ !#$%’(’ )* +,#)-.’$,//(# 0,+ 1 $% !)/23/ 4$%)5 !# $%’() ，*+,- .)’/01)，2# -1%)3’4%) ，5+6 501%)’7%8 （1HHLMNO ;HC?HM P GL?HMQL’ 5NQHCNH ，RHQSQC= :CQ?Q??H P 7HNOC’=T ，RHQSQC= @+++-@ ，;OQCL ） （9:/:;: $ =%)1%4 *++, ） 61’$.,-$ ：5QC=’HKUOLH VM?WQ?H XL) CLCNMT?L’ VQ?O LC LYHML=H ZQLDH?HM P @@( * CD VHMH TC?OHQWHZ ?OM=O L ’K=H’ ?HNOCQ[H LCZ \H[HC? CQ?MQ?QC( 7MLCDQQC H’HN?MC DQNMNUT （79G ）LCZ H’HN?HZ LMHL H’HN?MC ZQPPMLN?QC （529F ）NCPQMDHZ ?OHT OLZ L OH]L=CL’ ?MN?MH LCZ L CLMMV QWH ZQ?MQ\?QC P ?OH CLCNMT?L’( EKMLT UVZHM ZQPPMLN?QC （E1F ）LCZ OQ=OKMH’?QC ?MLCDQQC H’HN?MC DQNMNUT （8179G ）DHLMHDHC? OVHZ ?OL? ?OH XL) UVZHM VL P QC=’HKUOLH VM?WQ?H ?MN?MH VQ?O L NCQZHML\’H PMLN?QC P ?MN?ML’ ZHPHN? NO L ?VQC LCZ ?LN^QC= PL’?( 7OH :1 UHN?MD OVHZ ?OL? C’T ?OH XLK) ?MH?NO Q UMHHC? L? #-+ND _ @ ( 1DK?HDUHML?MH UO?’DQCHNHCNH DHLMHDHC? MHYHL’HZ L \MLZ HDQQC MLC=QC= PMD *( , ? ( * H% VQ?O DH PQCH ?MN?MH ，VOQNO LMH \H’QHYHZ ? \H LNQL?HZ VQ?O ?OH ZHPHN? ’HYH’( 7 8).5’ ：XL) ；’K=H’ ； UO?’DQCHNHCNH @! 引! ! 言 氮化镓晶体材料作为室温直接宽禁带化合物半导体材料（禁带宽度为( $H% ），以其优良的性质，比如低