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采用电阻补偿的高PSRR基准电压源设计.pdf
第38卷第2期 微电子学 V01．38．No．2
2008年4月 Mlcroelectronics Apr．2008
采用电阻补偿的高PSRR基准电压源设计
刘珂1”，杨海钢1，尹韬1·2
摘要： 与传统的带隙基准电路完全使用p-n结达到高次温度补偿不同，提出利用标准CMOS
工艺下不同电阻的不同温度系数，实现温度的高次补偿，大大减小了电路的复杂性和功耗。同时，
通过增加电源电压耦合电路，提高电源抑制比，并在输出级利用低压差电压IX：转换电路，实现电
V
压转换，提供可调的多种参考电压。该电路采用Chartered0．35弘mCMOS工艺实现，采用3．3
电源电压，在--40--．100℃范围内，达到低于6 kHz和27℃下，电源抑制
ppm／℃的温度系数，在1
比达到82dB。
关键词： 带隙基准源；电压基准源；电源抑制比；温度补偿
中图分类号：TN791 文献标识码：A
of PSRR ReferenceResistor
DesignHigh Voltage Usmg Temperature
LIUKel”，YANG Ta01’2
Haigan91，YIN
(1．StateLabTransducer Electronics，TheChinese
Key of Technology，Instituteof AcademyofSciences，Beijing100080；
2．GraduateSchool，TheChinese 100039，P．R．China)
AcademyofSciences，BeOing
Unliketraditionalcircuits tOrealize
Abstract： junction temperature
usingp-n compensation，thishigher-order
referenceutilizesa resistOrratio
temperaturecompensationbandgapvoltage design temperature-dependentgenerated
a resistorandadiffusion reducescircuit and dissi—
resistor，which
by highly-resistivepoly greatly complexitypower
the circuitis a
ratio(PSRR)of
pation．Besides。thepowersupplyrejection proposed improvedbyaddingsimple
subtraction low iSusedasabufferto
circuit．A
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