第2章变频器电力电子器件.pptVIP

IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，它是一种场控器件。其开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE控制的，当UGE为正且大于开启电压UT时，功率MOSFET内形成导电沟道，其漏源电流作为内部GTR的基极电流，从而使IGBT导通。此时从P+注入N-区的空穴对N?-区进行电导调制，减小了N-区的电阻RN，使IGBT获得低导通压降。当栅极与发射极间不加信号或施加反向电压时，功率MOSFET内的导电沟道消失，GTR的基极电流被切断，IGBT随即关断。 2.6.2 IGBT的基本特性 1．静态特性。 1) 转移特性 用来描述IGBT集电极电流iC与栅-射电压UGE之间的关系，如图2.18(a)所示。 2) 输出特性，如图2.18(b)。描述以栅-射电压为参变量时，集电极电流iC与集-射极间电压UCE之间的关系。 图2.18 IGBT的静态特性 2．动态特性 IGBT的动态特性包括开通过程和关断过程，如图2.19所示。 图2.19 IGBT的开通与关断过程 1)开通过程 IGBT的开通过程与功率MOSFET的开通过程相类似。 2) 关断过程 欲使IGBT关断时，给栅极施加反向脉冲电压-UGM 。 2.6.3 IGBT的主要参数 集-射极额定电压UCES；（2）栅-射极额定电压UGES； 栅-射极开启电压UGE(th)；（4）集电极额定电流