亚50nm自对准双栅场效应晶体管的量子和短沟道效应的研究.PDF

第25卷第2期 红 外 与 毫 米 波 学 报 Vo1．25，No．2 2006年4月 J．InfraredMillim．Waves April，2006 文章编号 ：1001—9014(2006)02—0090—05 亚 50nm 自对准双栅场效应晶体管的量子 和短沟道效应的研究 胡伟达，陈效双，全知觉，周旭昌，陆 卫 (中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083) 摘要：采用有限元法 自洽求解泊松一薛定谔方程，数值模拟了一种新型的亚50nmN沟道双栅MOS场效应晶体管的 电学特性，系统阐述了尺寸参数对短沟道效应的影响规律．比较了不同尺寸参数下的亚阈值摆幅、阈值 电压下跌和 DIBL效应 以及沟道跨道，获得了最佳硅鳍宽度 ( )和栅极长度 ( )参数．模拟结果与实验数据的经典数值模拟 进行了比较，表明由于电子束缚效应对器件性能的影响，考虑量子效应对 FinFET器件的性能优化尤其重要． 关 键 词：自对准双栅场效应晶体管；量子力学计算；短沟道效应；量子效应 中图分类号：TN302；TN386．1 文献标识码：A STUDYoNQUANTUM ANDSHoRT-CHANNELEFFECTS FOR SUB．50nm FINFETS HUWei-Da， CHENXiao-Shuang， QUANZhi-Jue， ZHOUXu-Chang， LUWei (NationalLaboratoryforInfraredPhysics，ShanghaiInstituteofTechnicalPhysics， ChineseAcademyofSciences，Shanghai200083，China) Abstract：A newkindofsub-50nm N channeldoublegateMOSnnaotrna sistorswassimulatedbysolvingcouplingPoisson- SchrJ／dingerequationsinaself-consistentwaywithafiniteelementmethod，nadasystematicsimulation-basedstudyWas pres— entedontheshort-channeleffects．Subthresholdswing，threshold—voltageroll-off，naddrain-inducedbarrierloweringas well asthetrnasconductnacewereinvestigatedintermsofdifferentdimensionalparameters．TheoptimalSi-finthickness( ) andthegatelength(L)wereobtained．Thesimulationresultswerecompraedwiththeexperimentalresultsinordertoverify thevalidityoftheproposedqunatum mechnaical approach．Inordertounderstnadtheinfluenceofelectronconfinement，the resultofuq natum mechnaical simulationwerealsocompraedwiththatoftheclassical approach．Oursimulationresultsindi— catethatuqnatum mechnaical simulationisessential ofrtherealisticoptimizationoftheFinFETstructure． Keywords：FinFETs；quantum-mechanicalcalculation；short—channeleffect