产品说明书-英鑫光电.DOC

InGaAs光电二极管芯片——PD200 InGaAs Photodiode Chip—PD200 绝对最大额定值Absolute Maximum Rating 参数名称Parameter 符号Sym. 额定值Rating 单位Unit TC -40 to +85 ℃ 贮存温度 Storage temperature TSTG -50 to +125 ℃ 正向电流 Forward Current IF 10 mA 反向电流 Reverse Current IR 10 mA 静电放电敏感度 ESD Susceptibility ≥300 V 光电特性Electrical Characteristics (TC = 22±3℃) 参数名称Parameter 符号Sym 测试条件 Test Condition 最小 Min. 典型Typ. 最大Max. 单位Unit λ - 1000~1680 nm 光敏面直径 Active Diameter Φ - 200 μm 响应度 ResponsivityRe λ=1.31μm, VR =5V, φe=100μw 0.9 - A/W 正向压降 Forward voltage VF IF=1mA - 0.6 0.7 V 反向击穿电压 Reverse Breakdown Voltage VBR ID=10μA, φe=0 35 - - V 暗电流 Dark Current ID VR =5V, φe=0 - 0.3 0.5 nA 电容 Capacitance CPD VR=5V, φe=0, f=1MHz - 3.0 3.5 pF 芯片结构图及尺寸Outline Diagram Die Dimensions 芯片尺寸 Die Size 360μm×360μm 芯片厚度 Die Thickess 155±5μm P极焊盘直径 Bond Pad Diameter 65μm 光敏面直径 Photosensitive Diameter 200μm 延伸电极长度 Extend Electrode Length 20μm P-电极 P metal Au N-电极 N metal Au 注：芯片结构为平面正照型，正面为P极，背面为N极。 Note: The structure of PIN PD is planar and front illuminated with P electrode on the top and N electrode on the bottom. 芯片间距示意图 Die Distance Diagram 横向间距 W’ 100μm~300μm 纵向间距 L’ 100μm~300μm 注：W=L=360μm 使用注意事项 ·应采取必要的ESD防护措施，以避免芯片被静电损伤。 Take appropriate ESD protections to avoid damage. ·由于InP基芯片易碎，取用时需十分小心。请勿使用镊子，推荐使用真空吸附方式取用芯片。 InP chips are fragile and easily damaged, so special caution should be used when handling. Do not handle with tweezers. A vacuum tip with a flat surface is recommended. ·压焊力度、温度等参数需小心设置，以免损坏芯片。 Bonding force and temperature should be applied in a gradual fashion. 质量可靠性保证 本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求。 All chips have passed the qualification requirements as specified by Telcordia-GR-468. 版本号：PD200-1102 Version：PD200-1102