半导体概论评量试题.DOC

國立台南一中「高瞻計劃」九十五學年度上學期第一次評量 【半導體概論】 命題教師：杜思谷 一、多重選擇題：(每題5分，答對一選項得1分，答錯一選項倒扣1分) 在n型半導體中 (A)多數載子為自由電子，少數載子為電洞 (B)只有自由電子，沒有電洞 (C)多數載子為電洞，少數載子為自由電子 (D)整體帶負電 (E)整體為電中性 。 關於pn二極體之「空乏區」，如未加上偏壓時，則下列敘述何者為正確？ (A)p型半導體之空乏層內應有電洞 (B)p型半導體之空乏區出現負電性 (C)n型半導體之空乏區出現電洞 (D)n型半導體之空乏區出現正電性 (E)pn接面附近形成p端正，ｎ端負的極性 。 下列關於二極體的敘述，何者為正確？ (A)具有檢波作用 (B)具有單向導電特性，可作為整流之用 (C)在逆向偏壓下，沒有電流導通，但仍有微量的逆向飽和電流，其大小與外加偏壓沒有太大關係 (D)pn接面接上順向偏壓後，則使得載子越過接面，造成大的電流流動，所以具有電流放大作用 (E)pn接面接上順向偏壓後，空乏區變寬 。 有關半導體中電子、電洞的移動，下列敘述何者正確？ (A)有電子流與電洞流 (B)電子流在能階中的導電帶傳導 (C)電子流的能階較低 (D)電子的mobility較大 (E)除了由於濃度不同而產生的擴散電流外；電子流是由電位高處受力而移向電位低處 。 下列有關雙極性接面電晶體(BJT)的敘述何者正確？射極與集極為相同極性的半導體是n型半導體？ (A)硫 (B)碳 (C)硼 (D)硒 (E)砷 。 在純矽半導體內摻雜三價的原子，可以製造p型半導體。此半導體中主要用來導電的電洞是由 (A)原來純矽半導體內的電子躍遷到導電帶，留下的空缺所形成 (B)摻雜的三價原子與純矽結合時，所形成的鍵結空缺 (C)純矽與摻雜的三價原子化合而產生的 (D)摻雜的三價原子本身原來就具有的 (E)純矽與摻雜的三價原子，兩者的原子核帶正電所提供 。 二極體導電時的電壓、電流、電阻的關係，下列何者正確？ (A)電壓和電流成正比 (B)電壓與電流成反比 (C)隨電壓的增大二極體的電阻逐漸變小 (D)不管電壓如何改變，二極體的電阻保持一定 (E)遵守歐姆定律 。 右圖是拿一個發光二極體(LED)直接接上電源的示意圖，已知此發光二極體的導通電壓為1.8V，則電源要如何連接LED才會發光？ (A)A接電池正極；B接電池負極，且電池電壓為2V (B)A接電池負極；B接電池正極，且電池電壓為2V (C)A接電池正極；B接電池負極，且電池電壓為1.5V (D)A接電池負極；B接電池正極，且電池電壓為1.5V (E)接交流電，且峰值電壓為1V 。 pn二極體，當加上順向偏壓時，則 (A)即p端接”負”電位；n端接”正”電位 (B)空乏區變大 (C)空乏區中的電場變小 (D)阻抗變大 (E)無法讓電流通過 。 右電路中已知輸入電壓的波形如圖所示矽二極體的切入電壓為0.7則矽二極體D兩端的電壓變化的波形為 npn電晶體操作於「順作用」模式下，則此npn電晶體三端(射極E、基極B、集極C)電位的大小關係為何？ (A)VE＞VB＞Vc (B)VB＞Vc＞VE (C)Vc＞VE＞VB (D)Vc＞VB＞VE (E)VE＞VC＞VB 。 本次電晶體(9013)實驗時電路圖如右，利用電流計分別測得 IB = 10μA，IE = 2.004mA，IC = 2.000mA。理論上，三者電流的關係應為 (A)IC = IE + IB (B)IE = IC + IB (C)IE = IC (D)IE = IC × IB (E)IC IE IB 。 承上題，這是 (A)PNP (B)NPN (C)NPP (D)PNN (E)MNOPQ 型的電晶體。 承上題，試由實驗值，計算本電晶體的電流增益β值 = (A)5 (B)200 (C)0.2 (D)200.4 (E)0.998 。 在半波整流電路實驗中，電路圖如右，以三用電錶ACV檔測得變壓器二次側之電壓VAC；以三用電錶DCV檔測得RL兩端之直流電壓VDC。則兩者的關係為 (A)VAC = VDC (B)VAC VDC (C)VAC VDC (D)不一定 。 承上題，請依照電路圖，利用接線，將下圖中各元件連接起來。 答案欄 班級： 座號： 姓名： . [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19]  答案欄 班級： 座號： 姓名：