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半导体载流子迁移率及电阻率的计算模型-内江师范学院
第 卷第 期 内江师范学院学报
31 10
No.10Vol.31 JOURNALOFNEIJIANGNORMALUNIVERSITY · ·
43
半导体载流子迁移率及电阻率的计算模型
*
,
卫静婷 陈利伟
( , )
广东开放大学 广东理工职业学院 广东 广州
510091
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摘 要 本文利用计算机求解平衡载流子的电中性条件 获得一般情况下杂质半导体载流子的统计分布 综合
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、 ,
考虑了晶格振动散射 杂质散射和载流子散射对载流子迁移率的影响 建立了一套载流子迁移率和电阻率的计算
, , ,
模型 在此基础上 研究了不同的杂质浓度与温度对迁移率和电阻率的影响 模型结果表明 在低温和室温附件 杂
. .
, , ; ,
质散射是主要散射机制 而在高温区 晶格振动散射是主要机制 电阻率随着杂质浓度的增大基本呈线性减少 而
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室温下的电阻率随温度升高而增加 在低温和高温区随温度升高而减少.
: ; ;
关键词 载流子统计分布 载流子迁移率 电阻率
: / /
DOI10.13603 .cnki.51-1621z.2016.10.009
j
中图分类号: 文献标志码: 文章编号: ( )
O471.2 A 1671-1785201610-0043-05
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半导体的电阻率是半导体材料重要的基本参 的电中性条件 获得载流子在整个温度范围的统计
,
数 它取决于载流子的迁移率和载流子的统计分布 ,
. 分布的清晰图像 并通过综合考虑多种主要散射机
载流子的迁移率反应了载流子在电场下的输运能 ,
制对迁移率的影响 获得与实验数据相符合的载流
,
力 它由载流子受到散射的概率所决定 在一定的温 子迁移率的经验公式 结合载流子迁移率和统计分
.
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