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双N沟道增强型功率MOSFET
8205
双N 沟道增强型功率MOSFET
1. 描述 引脚排列
共漏极 沟道增强型功率场效应管
双N TC8 2 0 5 A
具有快速开关、超低导通电阻和高性价比的特点。
适用于设计电池保护或低
压开关的电路。
2. 特点
低导通电阻
低驱动电流
低栅极电压2.5V
VB DSB =20V
IB DB =6A @ VB GSB =4.5V （顶视）
TC8205A ：
RB DS(ON)B 26mΩ (Typ.22mΩ) @ VB GSB =4.5V
3. 应用领域
锂电池充电保护
电源管理
便携式设备
负载开关
4. 框图
1
Shenzhen Century Tianchuang Technology Co.,Ltd.
8205
6. 最大额定参数
参数 符号 值 单位
漏源电压 VB DSB 20 V
栅源电压 VB GSB ±10 V
漏极电流，VB B =4.5V，@T =25°CB B IB B 6 A
GS a D
漏极电流，VB B =4.5V，@T =70°CB B IB B 4.8 A
GS a D
漏极脉冲电流（注1） IB DMB 20 A
功耗，@T =25°CB B PB B 1.5 W
a D
工作结温 TjB B -55 ~ +150 °C
存储温度 TBstgB -55 ~ +150 °C
功耗随温升的线性降低因数 0.008 W/°C
热阻，结到环境（注2 ） Rthj-aB B 83 °C/W
注1：脉冲宽度受最大结温限制
注2：贴装在1平方英寸铜盘上，板材FR4；当贴装在最小铜盘上，208°C /W
7. 电气特性
（T = 25°C ，除非另有注明）B
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