应对3D集成挑战：为复杂场景设计材料-半导体科技.PDF

技术文章 3D集成 TECHNICAL ARTICLE 应对 3D 集成挑战：为复杂场景设计材料 近年来，OLED电视由于外形轻薄，无需背光，并能呈现生动的色彩和高对比度，因而备受市场瞩目。尽管如此，液 晶电视仍然是其强劲的竞争对手，并不断推出超高清及量子点等创新技术。导致目前OLED电视普及率较低的主要原因是： OLED电视的制造成本高达液晶电视的10倍以上。因此，只有降低生产成本，才能使OLED电视的价格更为亲民，被更多人 所接受。OLED电视成本高昂的主要原因是良品率较低。OLED电视制造商面临的挑战还包括高性价比、高质量的AMOLED 背板，因为这项关键技术与电视面板的寿命直接相关。薄膜封装可以延长OLED电视的寿命，提高画质表现，降低总体成本。 D 集成建立了许多不同封装架构和集成方法的复杂场 充和凸块电镀的化学品；用于线路重布的介电材料；用于 3景，各具有丰富多样的材料需求以及多变的插入时机， TSV 蚀刻和通孔露出步骤的光刻胶；用于临时粘合/ 脱粘 所需的诸多工艺无法恰如其分地嵌入前端和后端的固 工艺的粘合剂；以及用于 TSV 组装的底部填充材料。 定孔隙中。诸如硅通孔 (TSV) 制造等工艺需要晶片加工设 硅通孔电镀铜化学品 备、材料和操作知识，并且通常是在晶圆厂或代工厂进行 就在不久前，整个行业还在艰难地应对通孔填充工艺 加工。对于这些技术较新的背面工艺包括在 TSV 晶圆上 的挑战，例如因硅和铜的热膨胀系数不一致所造成的机械 形成正面和背面凸块、薄晶片传送的临时粘合、TSV 露出、 应力；此外，铜的烛芯效应经常会造成铜过度覆盖。而现 隔离和钝化，以及脱粘步骤。根据客户要求所确定的工艺 在所面临的挑战已经转变为增加 TSV 纵横比和 I/O 密度， 流程的不同，这些步骤可能在前端晶圆厂/ 代工厂执行， 以此方式降低成本，同时提升性能。其结果是出现了新的 或者在封装代工厂/OSAT 或诸如晶圆凸块车间等第三方 技术挑战，包括晶片应力增加、需要处理更精巧的结构 执行。 和更薄的晶片，以及在 TSV 本身填充时面临的诸多困难。 在为这种复杂场景设计材料时，材料供应商持续面临 这些问题，再加上减少填充时间和改善镀浴稳定性，都需 提供多种不同材料组合的挑战，以满足这些全新制造工艺 要使用优化的电镀材料。 步骤的需求，此外无论是在哪里制造，都需要考虑工艺要 陶氏化学电子材料为中介层和中端通孔TSV 工艺 应 求及规格。 TSV形成 晶圆减薄技术 →TSV图样 →研磨 →TSV刻蚀 关键材料挑战 →CMP →TSV隔离晶种/势垒：保形和连续 →等离子 沉积 3D 集成工艺让制造商面对许多关 →湿法刻蚀 →TSV锉削加工：无孔沉积，CMP 晶圆处理 →TSV钉合技术 均匀性 →临时键合脱粘 键材料挑战，包括中介层和 3D-IC 方案， →晶圆载体（玻璃/硅） →临时粘结材料 在图 1 中均有特别标示。包括：高纵横 粘合/组装 →C2W和W2W键合 比通孔填充、平坦化、精细间距的焊锡 →内部校正和铜柱钉合 →键合材料和填充 凸块和铜