应用电子学复习第七章1ㄧ个n-MOSFET闸极刚加少量正电偏压时.PDF

應用電子學 複習 第七章 1. ㄧ個 n-MOSFET 閘極剛加少量正電偏壓時，通道會形成空乏區，請畫出由氧 化層到空乏區及半導體基板的電位移(或電力線密度)及電子電位能的分布 圖。 氧化層 p-sub D U 2. (a)當 n-MOSFET 閘極偏壓到達臨界電壓(threshold voltage)時，接近界面半導 體中的電子電位能會低到接近 源極的電子電位能，此時導電電子可開始進入 界面，形成通道，稱為 反轉層(inversion layer)。 (b)閘極偏壓超過臨界電壓後，空乏區寬度就幾乎不再變化，多出的電位差用  ( )  (  ) ox Q x Q C V C 來增加通到電子，故通道電荷濃度可寫為 ox GS t。 ox t ox 3. n-MOSFET 的輸出特性: (a)線性區或 triode 區: 靠近源極必須有導電電子(ON 的條件):  V ； GS t 靠近汲極也有導電電子  V 或  -V ； GD t DS GS t 畫出源極到汲極通道電子的分布示意圖: (b)飽和(saturation )區: 注意:和 BJT 的飽和區完全無關，定義不同。 靠近源極必須有導電電子(ON 的條件):  V ； GS t 靠近汲極沒有導電電子:  V 或   -V ； GD t DS GS t 畫出源極到汲極通道電子的分布示意圖: 4. n-MOSFET 電流電壓特性的計算: (a)在很 小時，通道電荷密度為 –C ( – V) ，其中單位閘極面積的電容大 DS ox GS t 小為  /t 。源極與汲極間電場大小為  /L ，可計算出漂移電流密度 ox ox DS  J  C ( V ) DS 大小為 n n ox GS t 。 W W L i J W