搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管栅交流电应力下的退化行为与-液晶与显示.PDF

第 卷 第 期 液晶与显示 ３２ 　 ２ 　　 Vol．３２　No．２ 　 　　　　 　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y ２０１７ ２ 　 　 　 Feb．２０１７ 文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１７０２Ｇ００９１Ｇ０６ 搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管栅交流电应力下的 退化行为与退化机制研究 ∗ , , , , , 张 猛 夏之荷 周 玮 陈荣盛 王 文 郭海成 　 　 　 ( , ) 香港科技大学 先进显示与光电子技术国家重点实验室 香港 : ( ) ( ) . 摘要 本文主要研究了搭桥晶粒 BG 多晶硅薄膜晶体管 TFT在栅交流电应力下的退化行为和退化机制 在栅交流应 , . . 力下 动态热载流子效应主导了器件的退化 器件退化只与栅脉冲下降沿有关 越快的下降沿带来越大的动态热载流 . , . , 子退化 比起普通多晶硅 TFTBG多晶硅 TFT的热载流子退化大幅度减弱 通过选择性的掺杂注入 BG线 沟道中形 , . , 成的PN结在反向偏置时可以有效分担栅交流电应力带来的电压差 从而减弱动态热载子退化 辅以瞬态模拟结果 栅 . 交流电应力下的退化机制被阐明 所有的测试结果都表明这种高性能高可靠性的BG多晶硅 TFT在片上系统应用中 具有很大的应用前景. : ; ; ; ; 关 键 词 搭桥晶粒 多晶硅 薄膜晶体管 栅交流应力 动态热载流子 　 　 中图分类号: 文献标识码: : / TP３９４．１　　 A　　doi１０．３７８８YJYX００９１ Deradationbehaviorandderadationmechanismof g g bridedＧrain olcrstallinesiliconthinfilm g g p y y transistorsunderAC atebiasstress g , , , , ZHANGMen XIAZhiＧhe ZHOUWeiCHENRonＧshen g