本质半导体的载子浓度受到温度.PPT

基礎半導體物理 Energy Bands and Carrier Concentration in Thermal Equilibriumn 熱平衡時的能帶及載子濃度 2.1 SEMICONDUCTOR MATERIALS 2.2 BASIC CRYSTAL STRUCTURE 2.3 BASIC CRYSTAL GROWTH TECHNIQUE 2.4 VALENCE BONDS 2.5 ENERGY BANDS 2.6 INTRINSIC CARRIER CONCENTRATION 2.7 DONORS AND ACCEPTORS 2.1 半導體材料 Insulator，Semiconductor，Conductor 半導體材料 ：導電率介於絕緣體與導體之間 導電率易受溫度、照光、磁場及微量雜質的影響，所以半導體在電子應用上很重要。 半導體材料分類 元素：矽（Si）、鍺（Ge） 化合物: 二元(binary)-例如GaAs，用於高速、光電元件。 三元(ternary)-例如AlxGa1-xAs，調整x的大小可改變材料的特性。 四元(quarternary)-例如AlxGa1-xAsySb1-y 2.2 基本晶體結構 固態物質由其原子排列方式可分為： 非晶形(amorphous)、多晶(polycrystalline)、單晶(crystalline) 2.2.1 單位晶胞（unit cell) 是晶體中可用以複製整個晶體的一小塊體積 如何表示晶體？ 畫圖法 數學式 常見的正立方體晶體結構 簡單立方(SC) 如釙（Po） 原子間最近距離為a，稱為晶格常數（lattice constant） 體心立方(BCC) 如鈉、鎢 面心立方(FCC) 如鋁、銅、金、鉑 2.2.2 鑽石結構：元素半導體的晶體結構 可看成兩個fcc結構 閃鋅礦結構：如GaAs，類似鑽石結構。 可看成一個fcc結構原子為As，另一個往體對角線移動1/4的fcc結構原子為Ga。 2.2.3 晶面以及米勒指數 ABCD面：有4個原子 ACEF面：有5個原子 比較兩個面，原子密度不同 不同平面之晶體性質不同 晶面以及米勒指數（續） 米勒指數為描述晶面的方法 找出晶面在x軸y軸 z軸的截距（以晶格常數a為單位） 將截距取倒數，再求出最小簡單整數比h:k:l 則(hkl)即為此平面的米勒指數 立方體結構中重要的平面 米勒指數其他相關表示 (hkl) 表示x截距為負 {hkl} 表示一組對稱的對應平面，例如{100}表示(100)(010)(001)(100) (010)(001)六個面 [hkl] 表示晶面的方向，在立方晶體上，[hkl]正好垂直於(hkl)晶面。 2.3 基本晶體成長技術 2.4 價鍵(valence bonds) 共用電子的結構稱為共價鍵 (covalent bonding)，兩原子（相同元素，如矽，或相似電子外層結構的不同元素，如GaAs）的原子核對共用電子的吸引力使的兩個原子結合在一起。 由鍵結理論解釋電子電洞的生成 2.3 能帶(energy band) 氫原子模型—1913年波爾提出 主要假設：電子繞氫原子核做圓周運動，其角動量量子化(L=n?) 結果算出單一個氫原子的電子能量為 多個氫原子的電子能量 半導體能階/能帶模型 單一個矽原子：十個電子在內層軌道，兩個在3s軌道（全滿），兩個在3p軌道。 2.5.2 E-p 圖 – 另一種分析，可看出允許能帶和禁制能帶。 自由電子： 晶體中的電子: 將m0改成mn(有效質量），左式仍可用。 有效質量（Effective mass） Si與GaAs的E-p圖 Direct Semiconductor Indirect Semoconductor 直接半導體:如GaAs，電子在價電帶與導電帶中躍遷，不需要改變動量。所以光電子產生的效率高，適合作為半導體雷射或其他發光元件的材料。 間接半導體：如Si，電子在價電帶與導電帶中躍遷，需要遵守動量守恆。所以躍遷發生除了所需能量外，還包括與晶格的交互作用。 以E-P圖解釋半導體中的導電電子與電洞 電洞對導電性的影響 : 　　(a) T 0oK 時，部分電子具有足夠的熱能，可以躍遷至導電帶。而價電帶的電就有空的能態(states)，所以價電帶的電子也可以自由移動，幫助導電。 (b) 而價電帶的空位，可視為帶正電的載子，稱為電洞。 金屬的能帶圖 載子濃度與摻質濃度 若摻質為淺層施體，在室溫下即有足夠的能量游離出電子，假設施體完全解離，電子密度n = ND（施體濃度）。 同理，若摻質為淺層受體，在室溫下即有足夠的能量使得價電帶的電子跳升到受體能階，產生電洞。假設受體完全解