本质半导体的载子浓度受到温度.PPT

基礎半導體物理 Energy Bands and Carrier Concentration in Thermal Equilibriumn 熱平衡時的能帶及載子濃度 2.1 SEMICONDUCTOR MATERIALS 2.2 BASIC CRYSTAL STRUCTURE 2.3 BASIC CRYSTAL GROWTH TECHNIQUE 2.4 VALENCE BONDS 2.5 ENERGY BANDS 2.6 INTRINSIC CARRIER CONCENTRATION 2.7 DONORS AND ACCEPTORS 2.1 半導體材料 Insulator，Semiconductor，Conductor 半導體材料 ：導電率介於絕緣體與導體之間 導電率易受溫度、照光、磁場及微量雜質的影響，所以半導體在電子應用上很重要。 半導體材料分類 元素：矽（Si）、鍺（Ge） 化合物: 二元(binary)-例如GaAs，用於高速、光電元件。 三元(ternary)-例如AlxGa1-xAs，調整x的大小可改變材料的特性。 四元(quarternary)-例如AlxGa1-xAsySb1-y 2.2 基本晶體結構 固態物質由其原子排列方式可分為： 非晶形(amorphous)、多晶(polycrystalline)、單晶(crystalline) 2.2.1 單位晶胞