外延硅-浙大.pdfVIP

利用UHV/CVD技术在双层多孔硅上外延硅研究 第六图书馆 利用UHV/CVD技术,在较低的温度下,在阳极氧化形成的双层多孔硅上,成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外 延层。这为进一步研制了SOI材料与器件提供了所需的薄硅外延层。利用UHV/CVD技术,在较低的温度下,在阳极氧化形成的双层多孔硅 上,成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外延层。这为进一步研制了SOI材料与器件提供了所需的薄硅外延层 。多孔硅 硅外延 超高真空CVD SOI材料材料科学与工程汪雷 黄靖云浙江大学材料系,浙江杭州2000第六图书馆 第 18卷 第 4期 材 料 科 学 与 工 程 总 第 72期 v01．18NO．4 MaterialsScience＆ Engineering Dec．2000 文章鳙号 ：1004—793x(2000)04—000004 利用 UHV／CVD技术在双层 多孔硅上外延硅研 究 ／