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P 沟道 MOSFET LYM2301 系列
P 沟道 MOSFET LYM2301 系列
描述： 特点：
LYM2301 系列P 沟道增强型功率场效 -20V/-2.8A
R =93mΩ@ V =-4.5V,I =-2.8A
应管（MOSFET ），采用高单元密度的DMOS 沟 DS(ON) GS D
R =113mΩ@ V =-2.5V,I =-2A
道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通 DS(ON) GS D
超大密度单元、极小的 RDS(ON) ）
电阻。
超小封装：SOT23
LYM2301 系列适用于低压应用，例如移
动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电
源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
引脚排列图： 典型应用:
电源管理
负载开关
电池保护
极限参数:
参数 符号 极限值 单位
漏级电压 VDSS -20V V
栅级电压 VGSS ±8 V
T =25℃ -2.8
A
漏级电流 ID A
TA=70℃ -1.8
1，2
脉冲电流 IDM -10 A
T =25℃ 0.7
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