第二章半导体物理基础知识汇编.ppt

* * * * p-n结击穿 * * * * * * * 在高温时，热振动可以打断共价键。当一些键被打断时，所产生的自由电子可以参与电的传导。而一个自由电子产生时，会在原处产生一个空缺。此空缺可由邻近的一个电子填满，从而产生空缺位置的移动，并可被看作与电子运动方向相反的正电荷，称为空穴(hole)。 * * 2 * * 2 在n型半导体中，电子填充的高能带的水平比较高，因此相比本征半导体，整个费米能级上移 * * 在p型半导体中，电子填充的高能带的水平比较低，因此相比本征半导体，整个费米能级下移 * * 4 平衡时，中间形成一个特殊的区域-pn结，它阻挡了载流子的扩散运动，因此也称为耗尽区。 * * * 晶格散射归因于在任何高于绝对零度下的晶格原子的热振动随温度增加而增加，晶格原子的振动会引起载流子的散射，在高温下晶格散射自然变得显著，迁移率也因此随着温度的增加而减少。理论分析显示晶格散射所造成的迁移率μL将随T-3/2方式减少。 * * * * * * 一般状态下，本征半导体的电子和空穴是成对出现的，用EF 位于禁带中央来表示。 在本征半导体中掺入施主杂质，称为N型半导体。 在本征半导体中，掺入受主杂质，称为P型半导体。 PN结的特性 pn结 *  硅的晶格结构 硅的晶格结构 (平面图) 本征半导体材料 Si 电子和空穴是成对出现的 受热时，Si电子受到热激励跃迁到导带，导致电子和空穴成对 出现。此时外加电场，发生电子/空穴移动导电。 本征半导体： 完全纯净、结构完整没有杂质的半导体。 * 导带 EC 价带 EV 电子跃迁 带隙 Eg = 1.1 eV 电子态数量 空穴态数量 电子浓度分布 空穴浓度分布 空穴 电子 本征半导体的能带图 电子向导带跃迁相当于空穴向价带反向跃迁 Ef － * 非本征半导体材料：N 型 第V族元素(如磷P, 砷As, 锑Sb)掺入Si晶体后，产生的多余电子 受到的束缚很弱，只要很少的能量DED (0.04~0.05eV)就能让它 挣脱束缚成为自由电子。这个电离过程称为杂质电离。 As除了用4个价电子 和周围的Si建立共价 键之外，还剩余一个 电子 A s + 掺杂半导体： 在本征半导体中掺入微量杂质可使半导体性质发生显著变化，称为掺杂半导体。 N型半导体：若掺入的杂质提供电子给导带，称为N 型杂质或施主杂质，如掺入锡和碲。掺入N型杂质的材料称为N型半导体 。 * 导带 EC 价带 EV 施主能级 电子能量 电子浓度分布 空穴浓度分布 施主能级 施主杂质电离使导带 电子浓度增加 N型材料，施主能级 第V族元素称为施主杂质，被它束缚住的多余电子所处的能级 称为施主能级。由于施主能级上的电子吸收少量的能量DED后 可以跃迁到导带，因此施主能级位于离导带很近的禁带。 Ef * 非本征半导体材料：P型 由于B只有3个价电 子，因此B和周围4 个Si的共价键还少1 个电子 B容易抢夺周围Si原 子的电子成为负离 子并产生多余空穴 B – 第III族元素 (如铟In,镓Ga,铝Al) 掺入Si晶体后，产生多余的空 穴，它们只受到微弱的束缚，只需要很少的能量 DEA Eg 就 可以让多余孔穴自由导电。 P型半导体：若掺入的杂质提供空穴给价带，称为受主杂质或P 型杂质 ，如掺入锗。掺入P 型杂质的材料称为P 型半导体。 * 导带 EC 价带 EV 受主能级 电子能量 电子浓度分布 空穴浓度分布 受主能级 受主能级电离使导带 空穴浓度增加 P型材料，受主能级 第III族元素容易抢夺Si的电子而被称为受主杂质。被它束缚的 空穴所处的能级称为受主能级EA。当空穴获得较小的能量DEA 之后就能摆脱束缚，反向跃迁到价带成为导电空穴。因此，受 主能级位于靠近价带EV的禁带中。 Ef * PN结的形成 * * PN结 n型 p型 耗尽层 载流子扩散构成内建电场 * 耗 尽区 扩散电子 pn结 内建电场 能带倾斜 - - - + + + 1. 浓度的差别导致载流子的扩散运动 p n EF 能带倾斜 2.内部电场：产生与扩散相反方向的漂移运动，直到P区和N区的EF相同，两种运动处于平衡状态为止，结果使平衡pn结的费米能级处处相等从而能带发生倾斜，见图。 能带的相对移动是pn结空间电荷区中存在内建电场得到结果：随着从n区指向p区的内建电场不断增加，n区电势能降低，p区电势能升高，直到费米能级处处相等，能带才停止移动，pn结达到平衡状态。 * P-N结施加正向电压 当PN结两端加上正向偏置电压时，产生与内部电场相反方向的外加电场，耗尽区变窄，