第7章半导体表面与MIS结构2011研究.pptVIP

一、界面电荷对 ?eff 的影响 图中可见，界面电荷对载流子迁移率的影响是十分明显 特别是在掺杂浓度较高但尚未严重影响到载流子迁移率大小的材料表面 二、表面电场对?eff 的影响 垂直施加在半导体表面上的电场是影响 ?eff 大小的首要因素。 实验发现，当施加在MOS 结构反型层上的垂直电场较弱而只能使其进入弱反型状态时，?eff 的变化呈随电场增强而急剧上升的趋势，但在升至极值 ?e,max 后就转而随着表面电场的继续增强而下降。这时，反型层进入强反型状态。精确表示垂直施加在MOS结构反型层中的表面电场不太容易。 由于反型层中自由载流子浓度随深度的分布是非均匀的，其中的垂直电场也会随深度而变化，从半导体－氧化物界面上的峰值逐渐向耗尽层中递减。不过，实际情况表明，在某个给定的温度条件下，?eff仅仅是反型层内垂直电场平均值的函数 三、表面晶向对 ?eff 的影响 由于半导体中载流子的电导率有效质量是各向异性的，且不同晶向表面的表面态密度不同，因而半导体表面的载流子等效迁移率一般也都具有各向异性的特点，并且不仅与半导体表面的晶向有关，也与电流矢量的方向有关。 实验发现，表面晶向对电子等效迁移率的影响与表面态密度的大小没有完全一致的关系。电子表面迁移率的最高晶面取向也不一定是空穴等效迁移率的最高取向。例如，电子在(100)硅反型层中等效迁移率最高，其次是(111)硅反型层，然后是(110)硅反型层；而空穴等效迁移率的优选晶向顺序恰好相反，其由高到低的顺序为(110)，(111)和(100)，且无论材料是n型还是p型。 考虑到等效迁移率对表面晶向的敏感性，硅n沟MOSFET使用(100)硅片制造，而p沟MOSFET则使用(110)硅片来制造。 7.4.4 表面迁移率模型与载流子的表面饱和漂移速度 一、表面迁移率模型 二、表面电子的饱和漂移速度 一、表面迁移率模型 载流子迁移率在表面附近的下降，常常是多种因素共同作用的结果。 Selberherr等人曾建立了一个非常概念化的公式来描述表面散射使表面区域内的载流子迁移率?sn,p随表面深度下降的情形: ?bn,p 表示电子和空穴的体迁移率，xn,p和bn,p是两个拟合参数，分别具有描述表面散射的作用范围和作用强度的物理意义 在实际工作中，譬如在模拟MOS器件导电沟道中的载流子输运时，也常常采用如下直接反映电场作用的经验公式来计算半导体表面附近的载流子迁移率： 二、表面电子的饱和漂移速度 载流子在半导体表面沿平行于表面的电场作漂移运动时，其漂移速度也会随着电场强度的升高而趋于饱和，但饱和速度值要比体材料的相应值低，且不同晶向表面的载流子饱和速度值不同。对于硅反型层中的电子，实验发现其饱和速度随温度改变的规律也与体材料中的情形有所不同，与温度T保持线性函数的关系， 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 在金属和半导体之间加一脉冲阶跃或高频正弦波形成的正电压，在UG的正向作用周期内, 由于空间电荷层内的少数载流子的产生速率跟不上电压周期的变化，耗尽层中产生的电子－空穴对远远满足不了形成强反型层对电荷量的需要, 即使UG已超过VT，也没有足够的少子在正向作用周期内使得半导体表面形成强反型层，只有耗尽层进一步向半导体内深处延伸而产生大量的受主负电荷以满足电中性要求，这时对半导体体内起电场屏蔽作用的仍然是耗尽层，耗尽层的进一步扩展使得C/C0继续下降，因此这种情况下时耗尽层的宽度很大，可远大于强反型时的最大耗尽层宽度，且其宽度随电压UG幅度的增大而增大，这种状态成为深耗尽状态。 ②高频状态: C’min/Ci 的测试及其应用 在高频信号电压的作用下，由于反型层中来不及产生相应的电量变化，半导体表面空间电荷区只能在其耗尽层末端产生一个由电离受主构成的负电荷增量dQS与金属表面的等量正电荷增量dQG保持平衡。 高频条件下理想MIS结构C’min/Ci与di的关系 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 5) 深耗尽 深耗尽状态是一种非平衡状态，当已超过VT的UG能够保持适当长的时间，即频率适当高，则耗尽层中少子的产生就能为半导体表面提供足够多的反型载流子从而建立起反型层，反型层对外场的屏蔽作用，使得耗尽层不再展宽。但由于电压变化仍较快，耗尽层中的产生与复合跟不上电压的变化，亦即反型载流子的数量不能随高频信号而变。这时，反型