第7章半导体存储器研究.ppt

* 7.5.3 字和位扩展 用1K×4位RAM芯片构成2K×8位存储器的连接方法 * 本章小结 本章主要介绍了半导体存储器中的RAM和ROM各自的结构和特点。 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * * 2. 紫外线擦除PROM 紫外线擦除PROM (EPROM：Erasable Programmable Read Only Memory) 一种可以进行多次擦除和改写操作的ROM 与 PROM 的总体结构相似，只是采用了不同的存储单元。 * EPROM 芯片封装出厂时所有存储单元的浮栅均无电荷，可认为全部存储了“1”。 用户需编程时，必须在 SIMOS 管的漏级和源级之间加上较高的电压（约 25V）， 同时在控制栅上加高压正脉冲（50ms宽的25V正脉冲）， 就能够向浮置栅注入电荷，相当于向存储单元写入“0”。 原来没有注入电荷的浮栅仍然存储信息“1”。 * 常用的EPROM集成片有: 2716（2K×8位）、2732（4K×8位）、2764（8K×8位）、27128（16K×8位）等。 存储单元都采用了 SIMOS 管，电路结构相同，仅仅是存储容量有差别。 * 3．电擦除PROM (E2PROM：Electrically Erasable Programmable ROM) EPROM必须使用紫外线来擦除存储的信息， 并且是对整个芯片进行的， 不能只擦除个别单元或个别位， 擦除时间较长， 且擦写均需离线操作，使用起来不方便。 * E2PROM采用金属—氮—氧化硅(MNOS)工艺生产， 不要借助紫外线照射， 只需在高电压脉冲或在工作电压下就可以进行擦除。 具有对单个存储单元在线编程的能力， 芯片封装简单，对硬件线路没有特殊要求，操作简便，信息存储时间长， 给需要经常修改程序和参数的应用场合带来了极大的方便。 * E2PROM集成芯片在内部设置了升压电路， 擦、写、读都可在+5V 电源下进行，不需要编程器， 改写E2PROM的内容非常方便， 可以在线编程，擦写共需时间在几百纳秒到几十毫秒之间， 存储内容的保存时间达20年以上，改写次数高达1万次以上。 * 4. 快闪存储器 快闪存储器（Flash Memory） 新一代电信号擦除的可编程ROM。 既吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点， 又保留了E2PROM的隧道效应擦除的快捷特性， 具有集成度高、容量大、成本低和使用方便等特点。 * 具有: 集成度高、容量大、成本低、使用方便等优点; 应用日益广泛 如用于数码相机、MP3、数字式录音机等。 * 7.3.3 ROM的应用 ROM的地址译码器是：与逻辑阵列 位线与字线间的逻辑关系是：或逻辑关系 位线与地址码之间是：与或逻辑关系 最小项译码器相当一个：与矩阵 ROM矩阵相当一个：或矩阵 整个存储器ROM是：一个与阵列加上一个或阵列组成 * 输入为两变量的固定ROM的阵列图 * 可以用ROM实现任何组合逻辑函数 列出该函数的真值表， 以最小项相或的原则， 直接画出存储矩阵的阵列图。 * 通常用ROM实现逻辑函数的步骤： （1）根据逻辑函数的输入、输出变量个数确定合适的ROM芯片； （2）列出真值表或卡诺图； （3）对ROM进行编程，画出阵列图。 * 例7-1．试用PROM将4位二进制码B3B2B1B0转换成循环码G3G2G1G0。 解：(1) 选择16×4位的PROM实现码型转换，未编程的16×4位的PROM。 * (2) 列出二进制码转换成循环码的真值表 * (3) 画出编程后的阵列图 * 例7-2．试用ROM设计全加器。 解：(1) 选择8×3位的PROM实现全加器。 (2) 列出全加器的真值表 * （3）画出编程后的阵列图 * 7.4随机存取存储器（RAM） 随机存取存储器RAM与ROM不同， 可以随机地写入或读出数据， 优点:读、写方便，使用灵活， 缺点:一旦断电以后所存储的数据就会丢失。 在计算机中主要用来存放:用户程序、计算的中间结果以及与外存交换信息。 * 7.4.1 RAM的结构 RAM主要由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路（I/O电路）三部分组成。 存储矩阵是存储器的主体， 另外两部分称为:存储器的外围电路。 * 1. 存储矩阵 RAM的存储矩阵:是存储单元的集合体。 存储矩阵：存储器中存储信息的部分， 由大量的基本存储单元组成。 每个存储单元能存放一位二进制信息（