基于新型延迟电路的CMOS片上温度传感器 - 电子器件.PDF

第39卷 第4期 电 子 器 件 Vol39 No.4 2016年8月 ChineseJournalofElectronDevices Aug. 2016 CMOSon-ChipTemperatureSensorBasedonaNovelDelayCircuit* LIShuoming* （SchoolofInformationEngineering，ZhongshanPolytechnic，ZhongshanGuangdong528404，China） Abstract：Inordertorealizehighprecisionon-chiptemperaturedetection，aCMOStimedomaintemperaturesen⁃ sorbasedonnoveldelaycircuitisproposed.Thesensorisbasedonanoveldelaycircuit，thePWMsignalisgenerat⁃ edbythediodeconnectedbipolarjunctiontransistor（BJT），andthePWMsignalisgeneratedbyasinglebiascur⁃ rentandacomparator.Asimpledigitalcountercanbeusedtodeterminethedutycycle，andthedutycyclecanbe convertedintoadigitalvalue.Thesensorisdesignedwith 0.18CMOSMtechnology.Thetestresultsshowthatthe accuracyoftheproposedsensorishigherthanthatofothersimilarsensorsinawidetemperaturerange.Afteradigi⁃ talcalibrationattwotemperaturepoints，thesensorisaccurateto±0.1℃from0℃to125℃.Itdrawsonly2.48 μA froma 1.5Vsupply，correspondingtoapowerdissipationof3.8μW. Keywords：timedomaintemperaturesensor；delaycircuit；lowvoltageandlowpower；timetodigitalconverter（TDC） EEACC：7230；7320R doi：10.3969/j.issn.1005-9490.2016.04.007 基于新型延迟电路的CMOS片上温度传感器* 李硕明* （中山职业技术学院信息工程学院，广东 中山528404） 摘 要：为在较大温度范围内实现高精度的片上温度检测，提出一种基于新型延迟电路的CMOS时域温度传感器。该传感器以 新型延迟电路为基础，利用二极管连接的双极结型晶体管（BJT）生成PWM信号，相较于其它时域温度传感器，仅需要单一偏置电 流以及比较器就可生成PWM信号；利用简易的数字计数器可确定占空比，且占空比会被转换成数字值；传感器设计采用了0.18 μmCMOS技术。实际测试结果显示，相较于其它类似传感器，提出的传感器在较宽的温度范围内精确度较高；在两个温度点上 进行数字校准之后，在0~125℃范围内的精确度为±0.1℃；电源为1.5V时，此传感器仅消耗了2.48μA，功耗为3.8μW。 关键词：时域温度传感器；延迟电路；低电压低功率；时间数字转换器（TDC） 中图分类号：TP212.11 文献标识码：A 文章编号：1005-9490（2016）04-0785-05 CMOS片上温度传感器已经广泛应用于硅集成 （2）频率温度传感器 该类传感器的结构与之 电路应用中，主要用于实现高度精确、节能、低成本 前提及的温度传感器相似，随着温度变化，传感器