填空题（22分）1价键系统的缺键或价带中的空状态，就是被称为的载.PDF

一、 填空题（22 分） 1. 价键系统的缺键或价带中的空状态，就是被称为 的载流子。 2. 对于非简并半导体，室温下，能增加电子浓度的杂质原子叫 ，这种掺杂称为 型掺杂。空穴是其中的 载流子。 3. 受主杂质电离后，电离的空穴进入 带成为准自由空穴。 4. 对于Si 半导体，当EF 在带隙中央时，电子的浓度 空穴的浓度；当EF 在带隙以 下时，电子的浓度 空穴的浓度。 5. 在室温下，Si 的掺杂浓度大约低于1015cm-3 时，在低掺杂浓度情况下，载流子迁移率基 本上与 无关；在掺杂浓度超过1015cm-3 但低于重掺杂水平时，由于 散射 逐渐增加，则迁移率随NA 或ND 的增加而 。 6. 漂移速度与电场成 ，与迁移率成 。 7. 是载流子从浓度高的区域流向浓度低的区域的运动。这种运动产生 电流， 表示载流子扩散的难易程度。 8. 在大多数半导体中，载流子迁移率是 和 的函数。 9. 在理想金属-半导体接触前后，金属的Wm 和半导体的χ 。 10. 某n 型衬底的非理想MOS 结构，其绝缘层压降用V0 表示，费米势用VB 表示： （A ）半导体表面处于多子积累状态时：V - V 为（ ）； T FB （B ）半导体表面处于平带状态时：V - V 为（ ）； T FB （C ）半导体表面处于本征状态时：V - V 为（ ）； T FB （D ）半导体表面处于强反型临界状态时：V - V 为（ ） T FB 二、简答题：（6+8=14 分） 1、在半导体的杂质工程中，掺入不同的杂质可以在禁带中引入能级。请简述在施主和受主 掺杂情况下，什么是浅能级杂质和深能级杂质？它们的物理意义是什么？（6 分） 2 、 已知Si 样品的B 掺杂浓度为1014cm-3 ：（8 分） （1） 说明温度T0 K 时，材料中费米能级的大约位置在何处？（2 分） （2 ） 若温度升高，费米能级的大约位置在何处？（2 分） （3 ） 在室温下，若掺杂浓度从1014cm-3 增加到1017cm-3 ，费米能级的大约位置在何处？（2 分） 三、证明：热平衡态下均匀掺杂的半导体中费米能级是与位置无关的不变量。（8 分） 四、计算题：在硅单晶中每立方厘米掺入 1016 个砷原子，已知在室温 300K 下, 19 -3 9 -3 Nc=2.86×10 cm ,本征载流子浓度ni=9.65×10 cm ，kT=0.026eV 。求在该温度下载流子 浓度与费米能级。(5 分) 五、功函数为4.3 eV 的金属与电子亲合势为4.0 eV 的Si 半导体形成一个金属-半导体接触， 已知 T=300 K ，N =5.8 ×1016cm-3 ，N =3 ×1016cm-3 ，N =2.8 ×1019cm-3 ，ln10=2.3 ， D A