2012年电子技术（高教第2版）章节练习题六及答案.docVIP

第六课习题 已知图所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(c)所示。 （1）利用图解法求解Q点； （2）利用等效电路法求解、Ri和Ro 。 解：（1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。如解图P2.21（a）所示。 解图P2.21 在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。如解图P2.21（b）所示。 （2）首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。 6.2 已知图所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解电路的Q点和。 解：（1）求Q点： 根据电路图可知， UGSQ＝VGG＝3V。 从转移特性查得，当UGSQ＝3V时的漏极电流 IDQ＝1mA 因此管压降 UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V。 （2）求电压放大倍数： 6.3电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出、Ri和Ro的表达式。 解：、Ri和Ro的表达式分别为 6.4 图中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如NPN型、PNP型、N沟道结型……）及管脚（b、e、c、d、g、s）。 解：（a）不能。 （b）不能。 （c）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。 （d）不能。 （e）不能。 （f）PNP型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。 （g）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为 发射极。 改正图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。 解：（a）源极加电阻RS。 （b）漏极加电阻RD。 （c）输入端加耦合电容。 （d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD 改正电路如解图P2.20所示。 2