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第一章 半导体二极管 §1.1　半导体的基础知识 本征半导体： 1.N 型半导体和 P 型半导体 ?2.PN结的单向导电性 （1）正向偏置：P区接高电位，N区接低电位，简称PN结正偏。 PN结正偏:外电场使多子向PN结移动，中和部分离子使空间电荷区变窄。扩散运动加强形成正向电流IF。IF=I多子-I少子≈I多子 PN结处于导通状态且呈低阻特性。 （2）反向偏置： P区接低电位，N区接高电位，简称PN结反偏。 PN结反偏：外电场使多子子背离PN结移动，空间电荷区变宽。漂移运动加强 形成反向电流IR IR=I少子≈0 PN结处于截至状态且呈高阻特性。 结论：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。 3.PN结的击穿特性 一、 半导体二极管的结构和类型 3.二极管的伏安特性 三、二极管的主要参数 结论： 1. 低频时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。高频时，因容抗减小，使结电容分流，导致单向导电性变差。 2. 结面积小时结电容小，工作频率高。 一、理想二极管及二极管特性的折线近似 归纳： 2、恒压降模型： ?正偏电压 UD(on) 时导通，等效为恒压源UD(on) 否则截止，相当于二极管支路断开。 二、发光二极管LED（Light Emitting Diode） * 一、本征半导体 1．导电材料分类：导体：