晶闸管课件概要1.pptVIP

1.3 半控器件—晶闸管 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 1.3.2 晶闸管的基本特性 1.3.3 晶闸管的主要参数 1.3 半控器件—晶闸管 晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR） 1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品 1958年商业化 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代 20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 外形有螺栓型和平板型两种封装 引出阳极A、阴极K和门极G三个联接端 螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便 平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间  2、晶闸管的其它封装形式： 还有塑封和模块式两种封装。 晶闸管的开关特点 〔简单描述〕晶闸管SCR相当于一个半可控的、可开不可关的单向开关。 晶闸管的开关特点 晶闸管导通的条件 晶闸管正常导通的条件： 1）晶闸管阳极和阴极之间施加正向阳极电压，UAK0 2）晶闸管门极和阴极之间必须施加适当的正向脉冲电压和电流， UGK0 维持晶闸管导通的条件： 保持流过晶闸管的阳极电流在其维持电流以上 晶闸管关断的条件 晶闸管的关断 只需将流过晶闸管的电流减小到其维持电流以下，可采用： 阳极电压反向 减小阳极电压 增大回路阻抗 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 按晶体管的工作原理 ，得： Ic1=?1 IA + ICBO1 （1-1） Ic2=?2 IK + ICBO2 （1-2） IK=IA+IG （1-3） IA=Ic1+Ic2 （1-4） 式中?1和?2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。由以上式（1-1）~（1-4）可得 ： （1-5） 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 在低发射极电流下? 是很小的，而当发射极电流建立起来之后，? 迅速增大。 阻断状态：IG=0，?1+?2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。 开通：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致?1+?2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA，将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 其他几种可能导通的情况： 阳极电压升高至相当高的数值 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 光直接照射硅片，即光触发 光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，称为光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT）。 只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段 1.3.2 晶闸管的基本特性 总结前面介绍的工作原理，归纳晶闸管正常工作时的特性如下： 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。 1.3.2 晶闸管的基本特性 1.3.2 晶闸管的基本特性 正向特性 IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，正向阻断状态。 正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 1.3.2 晶闸管的基本特性 2) 反向特性 施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性。 反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。 当反向电压达到反向击穿电压后，可能导致晶闸管发热损坏。 1.3.2 晶闸管的基本特性 2. 动态特性 1) 开通过程 延迟时间td (0.5~1.5?s) 上升时间tr (0.5~3?s) 开通时间tgt以上两者之和，tgt=td+ tr （1-6） 1.3.3 晶闸管的主要参数 1. 电压定额 断态重复峰值电压UDRM ——在门极断路而结温为额定值