电子信息材料（董岩）第01讲-电子信息材料概述2014.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 习 题 1、电子信息材料的分类？ 2，简述常用的结构分析方法及成分分析方法。 下节课内容： 电功能材料 THE END * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 体缺陷 夹杂物，杂相，气孔等 2.2 扩散 菲克第一定律 单位时间内通过垂直于扩散方向的某一单位面积截面的扩散物质流量（扩散通量J）与浓度梯度成正比。 稳定扩散： 不稳定扩散： 扩散物质在扩散层内各处的浓度不随时间而变化，即dC/dt=0 扩散物质在扩散层内各处的浓度随时间而变化，即dC/dt≠0 菲克第二定律 在一维状态下非稳态扩散的微分方程： 三维情况的扩散方程： 扩散机制 （1）空位机制 （3）换位机制 （2）间隙机制 柯肯达尔效应 证明了多元系统中互扩散时各组元的扩散系数不同； 在置换式固溶体中原子扩散的过程不是通过溶剂与溶质原子直接换位进行的，而是空位扩散机制。 2.3 晶体形核与生长 成核是一个相变过程，即在母液相中形成固相小晶芽，这一相变过程中体系自由能的变化为： ΔG=ΔGv+ΔGs 式中△Gv为新相形成时体自由能的变化，且△Gv＜0, △GS为新相形成时新相与旧相界面的表面能，且△GS＞0。 均匀形核 只有当ΔG ＜0时，成核过程才能发生，因此，晶核是否能形成，就在于ΔGv与ΔGs的相对大小。 体系自由能由升高到降低的转变时所对应的晶核半径值rc称为临界半径。 如果形核不是在液体内部，如附着在某些已存在的固体(液体中存在的未熔高熔点杂质)，例如在固体上形成球冠形，这时可以利用附着区原液体和杂质的界面能，特别是核心和杂质间可能有小的界面能。这种依附在某些已有的固体上形核称之为非均匀形核。 ΔG=ΔGv*V+(бLS*ALS+бSB*ASB-бLB*ASB) 非均匀形核 非均匀晶核降低临界过冷度，大大提高形核率。 层生长理论模型（科塞尔理论模型） 最佳生长位置是三面凹角位，其次是两面凹角位，最不容易生长的位置是平坦面。最理想的晶体生长方式就是:先在三面凹角上生长成一行，以至于三面凹角消失，再在两面凹角处生长一个质点，以形成三面凹角，再生长一行，重复下去。 该模型认为晶面上存在螺旋位错露头点可以作为晶体生长的台阶源,可以对平坦面的生长起着催化作用，这种台阶源永不消失，因此不需要形成二维核，这样便成功地解释了晶体在很低过饱和度下仍能生长这一实验现象。 螺旋生长理论模型（BCF理论模型） 3、电子信息材料常用研究方法 入射波或粒子 发射波或粒子 样品 探测器 数据处理与结果显示 现代分析技术的基本原理图 ①????? 入射粒子和波 包括：原子，离子，电子； 光子(红外，紫外，可见，X和γ射线)； 声子及各种电磁场。 ②????? 检测器探测的粒子和波 包括：粒子质量，电荷，动能，波长，强度及空 间分布等。 按分析区域划分 ①?? 体分析技术：提供材料整体的、平均的成分和 结构等信息。 例如：原子吸收（AAS），原子发射光谱(ES)，x-射线荧光光谱（XRF），x-射线衍射（XRD）等。 ②??表面分析技术：提供材料器件最外层表面或界面的成分，结构信息，以及它们随深度的变化。 例如：X-射线光电子能谱（XPS），俄歇电子能谱（AES），二次离子质谱（SIMS）等。 ③? 微区分析技术：提供样品微小区域内（如微米至纳米范围）的成分、结构、形貌等信息； 例如：扫描电子显微镜（SEM），透射电子显微镜（TEM），电子探针显微分析技术(EPMA)；表面分析技术中的XPS，AES，SIMS既是微区又是表面分析技术。 现代分析技术的分类 按分析内容划分 ①? 成分分析技术 提供物质化学组成信息，如：发射光谱，AAS，XRF，EPMA等(可细分为常量，微量分析技术)； ②?结构分析技术 提供物质结构（晶相结构、分子结构等）信息：XRD，TEM、红外光谱(IR)，质谱等； ③?形貌分析技术 物质的显微像(照片)：SEM，TEM，扫描探针显微镜SPM（包括扫描隧道显微镜STM，原子力显微镜AFM等）； ④ 化学状态分析技术 提供组成物质的元素化学价态信息，如XPS，AES，IR，穆斯堡尔谱。 部分现代分析技术列表 结构、成分 和形貌（薄膜} 粒子能量/keV 分析手段 分析区域 分析内容