电子信息材料物理基础课件-2-半导体载流子浓度.pdfVIP

主要内容主要内容 本征半导体 非本征半导体 半导体载流子浓度 半导体电子的输运过程 半半导体器件简件简介 1 半导体载流子浓度半导体载流子浓度 半导体载流子的统计分布 载流子浓度（一般情况） 本征激发 杂质激发 补偿效应应 2 半导体载流子的统计分布 半导体载流子包括导带电子和价带空穴。热力学平衡下， 导带电子满足费米分布导带电子满足费米分布：： 1 f n (E ) ee(E −EF ) / kB T ++11 •能量越高，电子占据几率越小。反之，占据几率大。 价带空穴就是电子的欠缺价带空穴就是电子的欠缺，因此能量为因此能量为EE 的状态不被电子的状态不被电子 占据的几率就是空穴的占据几率： 11 11 f p (E ) 1−f n (E ) 1−e(E −EF ) / kB T +1 e(EF −E ) / kB T +1 •能量越高，空穴占据几率越大。反之，占据几率小。 空穴和电子的费米分布函数相对与费米能级成镜像。高电 子能量对应低空穴能量。 3 与金属不同，半导体费米能级通常在禁带之中，因此对于本 征半导体或低掺杂半导体，载流子的能量通常满足： EE −EE kk TT , 对于导带电子对于导带电子 F B E −E k T , 对于价带空穴 F B 1 f n (E ) ee((E −EFF )) / kBB T ++11 ff n ((EE )) ≈≈ee−(E −EF ) / kB T ff pp ((EE )) 1 f pp (E ) ≈e−(EF −E ) / kB T e((EEF −EE )) // kkB TT +1 量子的费米分布退化为经典的玻耳兹曼分布。 原因：导带电子和价带空穴的占据几率远小于1，泡利不 相容原相容原理限制消弱限制消弱。 4 与金属的区别。 导带和价带能级远离费米能级导带和价带能级远离费米能级 导带接近空的，满带接近充满，近似玻尔兹曼分布。 5 半导体载流子浓度半导体载流子浓度 半导体载流子的统计分布 载流载流子浓度浓度 （（一般情情况）） 本征激发本征激发 杂质激发杂质激发 补偿效应 6 载流子浓度求解思路 导带电子浓度 E +∞ dE n ∫ f (E)g(E)dE