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半导体电子论半导体电子论 本征半导体 非本征半导体 半导体载流子浓度 半导体载流子输运 半半导体器件简件简介 1 半导体载流子输运半导体载流子输运 电导现象 霍尔效应 产生和复合 扩散现象 连连续性方程 2 载流子的漂移迁移率 • 载流子的漂移运动：载流子在电场作用下的运动 •考虑电子在两次碰撞之间，自由飞行时间内动量定律： * −qqEτ m v nn nn nn v 为电子漂移速度，τ 为电子平均自由运行时间。 n n qqττn v − E n * m n 电子漂移速度正比于施加电场电子漂移速度正比于施加电场。 定义μ 为电子迁移率： n qqττn μn * v −μ E n n m n 迁迁移率表率表示单位单位电场强度度下载流子载流子的平均平均漂移速度速度，单位单位： cm2/(V⋅s) ，其描述外加电场作用下载流子运动能力。 3 空穴动量定律 * qEτ m v p p p v 为空穴漂移速度，τ 为空穴平均自由运行时间。 p p 空穴漂移速度v p qτp v E p * m p 空穴迁移率μp qqττp μp * v μ E m p p p 4 影响迁移率的因素 qτn qτp μn m*